[发明专利]等离子体处理装置的清洁方法

权利要求书

1.一种用于等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：

a.在基片制程之前，在所述腔室表面沉积不含氟的聚合物层；

b.执行基片制程，然后将基片移除出腔室以外；

c.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述步骤a还包括如下步骤：在基片制程之前，在静电夹盘上沉积不含氟的聚合物层。

3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体包括O₂，O₂与N₂或Ar的混合气体。

4.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述步骤a还包括如下步骤：在制程之前，往腔室中通入第一气体，并连接射频能量产生等离子体，以在所述腔室表面沉积不含氟的聚合物层。

5.根据权利要求4所述的清洁方法，其特征在于，所述第一气体为COS/N₂，CO/H₂，CO/NH₃，CH₄，C₂H₂，C₂H₄，C₂H₆，C₃H₆，C₃H₈,C₄H₁₀。

6.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，所述第一气体与N₂和/或NH₃混合调节不含氟的聚合物层的浓度。

7.根据权利要求4所述的清洁方法，其特征在于，所述射频能量为60MHZ，所述步骤a的执行时间为15秒至40秒。

8.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述步骤c的执行时间为15秒至30秒。

9.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述聚合物层的厚度为100nm到300nm。

10.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述步骤c之后还包括如下步骤d：将清洁冗余用真空泵抽出腔室。

11.根据权利要求10所述的清洁方法，其特征在于，在所述步骤d之后还包括如下步骤e:将基片传输入所述腔室，并对基片进行制程。