[发明专利]用于制造混合集成的构件的方法

权利要求书

1.用于制造混合集成的构件(101；102)的方法，所述构件至少包括：

-一MEMS结构元件(100)；

-一用于所述MEMS结构元件的微机械结构的罩；以及

-一ASIC基底(60)；

其特征在于，所述MEMS结构元件(100)的所述微机械结构和在一个层构型中的所述罩(30)由一共同的半导体基底(10)出发被制造，

·其方式是，将至少一个罩层(30)施加到所述半导体基底(10)的第一表面上，以及

·其方式是，将所述半导体基底(10)从其另外的第二表面(15)出发进行处理并且结构化，以便制造并露出微机械的MEMS结构；

所述半导体基底(10)以MEMS结构化的所述第二表面(15)被装配在所述ASIC基底(60)上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少一个牺牲层(20)被施加到所述半导体基底(10)的所述第一表面上并且这样被结构化，使得所述至少一个牺牲层形成了用于MEMS结构与罩(30)之间的空腔(21)的占位件；所述至少一个罩层(30)在结构化的所述至少一个牺牲层(20)上方被施加到所述半导体基底(10)的所述第一表面上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述罩在这样一个层构型中实现：所述层构型包括至少一个能导电的层；所述能导电的层被结构化，以便构造联接导线、再接线部和/或用于信号检测的电路元件。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体基底(10)从其第二表面(15)出发，直至被减薄到所述MEMS结构的结构高度。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述MEMS结构在一开槽过程中被加入到所述半导体基底(10)的所述第二表面(15)中，其中，所述结构化的牺牲层(20)在所述半导体基底(10)的所述第一表面上用作为蚀刻停止部。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述MEMS结构被露出，并且在MEMS结构与罩(30)之间产生一空腔(21)，其方式是，所述至少一个牺牲层(20)的材料通过在所述半导体基底(10)的所述第二表面(15)中的开槽沟(12)至少部分地被去除。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，在一键合过程中建立起带有所述罩(30)的所述MEMS结构元件(100)和所述ASIC基底(60)之间的机械连接和电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过A1Ge键合层、CuCu键合层、CuSn键合层和/或AuSi键合层建立起所述MEMS结构元件(100)与所述ASIC基底(60)之间的所述连接。

9.具有至少一个MEMS结构元件(100)、一用于所述MEMS结构元件(100)的微机械结构的罩(30)以及至少一个ASIC基底(60)的构件(101；102)，尤其是以根据权利要求1至8中任一项所述的方法所制造，

·其中，所述MEMS结构元件(100)的所述微机械结构在一半导体基底(10)中实现并且在所述半导体基底(10)的整个厚度上延伸；

·其中，所述罩(30)在所述半导体基底(10)上在一层构型中实现；以及

·其中，所述MEMS结构元件(100)装配在所述ASIC基底(60)上，从而使得所述微机械结构一侧通过所述罩(30)并且另一侧通过所述ASIC基底(60)封罩。

10.根据权利要求9所述的构件，其特征在于，所述罩的所述层构型包括至少一个能导电的层，在所述至少一个能导电的层中构造有联接导线、再接线部和/或用于信号检测的电路元件。

11.根据权利要求9或10所述的构件(102)，其特征在于，在所述MEMS结构元件(100)的层构型内构造有过孔(70、75、76)，所述过孔自面朝所述ASIC基底(60)的装配侧面起穿过所述半导体基底(10)和所述半导体基底(10)上的整个层构型(30)延伸。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的构件，其特征在于，在所述ASIC基底(60)内构造有过孔(TSV)，用于所述构件在第二级装配的范畴内的外部电接触。