[发明专利]无芯层封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装制作技术领域，尤其涉及一种无芯层封装结构及其制造方法。

背景技术

随着对智能移动设备的需求的日益增加，在封装技术领域，对封装产品轻薄化的要求也更为迫切。为使最终成型的产品能够更加轻薄短小，以适用于逐渐轻薄化的移动电子设备，普遍采用的做法是将芯片内埋在核层（core）中。但是，为使芯片埋入核层，需要将核层制作的足够厚或是将内埋的芯片制作的足够薄。因此，两者均不利于实现最终成型产品的轻薄化。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种克服上述问题的无芯层封装结构及其制造方法。

一种无芯层封装结构的制作方法，包括步骤：提供一个承载基板，所述承载基板包括多个基本单元，每一基本单元均具有一个产品区及围绕所述产品区的周边区，所述承载基板从上至下依次包括蚀刻截止层及第一铜箔层；在每个产品区均移除部分第一铜箔层，以在每个产品区均形成一个凹槽，露出部分所述蚀刻截止层；在每个产品区围绕所述凹槽的第一铜箔层上均形成多个电性接触垫；在从每个所述凹槽露出的部分蚀刻截止层上用粘晶胶体粘结一个芯片，所述芯片远离所述蚀刻截止层侧具有多个电极垫；在每个产品区的第一铜箔层侧均形成一个封装胶体，每个所述封装胶体均包覆相应的芯片、粘晶胶体及相应的多个电性接触垫，并覆盖从所述芯片与所述电性接触垫之间的间隙露出的第一铜箔层及蚀刻截止层；在所述封装胶体远离所述承载基板侧形成一个封装基板，所述封装基板包括一个介电层及埋于所述介电层中的多个第一内层导电线路图形，多个第一内层导电线路图形与多个封装胶体一一对应，每个所述第一内层导电线路图形均通过多个第一导电柱与相应的多个电性接触垫相连，每个所述第一导电柱均贯穿相应的封装胶体，且每个所述第一导电柱靠近相应的第一内层导电线路图形的端部位于所述介电层中，每个第一导电柱的平行于所述封装基板的截面自所述电性接触垫侧至所述第一内层导电线路图形侧逐渐增大；移除所述蚀刻截止层及所述第一铜箔层，露出每个产品区的所述多个电性接触垫、粘晶胶体及封装胶体；及切割移除每个所述基本单元的周边区，得到多个无芯层封装结构。

一种无芯层封装结构，其包括一个封装基板、形成于所述封装基板上的封装胶体、芯片及多个电性接触垫。所述封装基板包括靠近所述封装胶体的介电层及埋于所述介电层内的第一内层导电线路图形。所述封装胶体包覆所述芯片。所述芯片与所述封装基板电性相连。所述多个电性接触垫从所述封装胶体远离所述封装基板侧露出，且围绕所述芯片设置。每个电性接触垫均通过一个贯穿所述封装胶体的第一导电柱与所述第一内层导电线路图形电性相连。每个第一导电柱靠近所述第一内层导电线路图形的端部收容于所述介电层中，且每个第一导电柱的平行于所述封装基板的截面从所述电性接触垫侧至所述第一内层导电线路图形侧逐渐增大。

本发明采用无芯层内埋封装的形式将芯片封装于所述封装基板的一侧，免去了为使芯片与所述核层厚度相适应而带来的困扰且可使封装产品成型后的厚度减小。另外，本发明所述无芯层封装结构采用普通的电路板材料及常规的生产设备便可以实现大规模的生产，提高了生产效率，同时也降低了成本。

附图说明

图1是本发明第一实施例所提供的承载基板的俯视图。

图2是图1所述的承载基板的一个基本单元的剖视图。

图3是图2所提供的承载基板的第一铜箔层侧层压具有开口的第一光致抗蚀层，蚀刻露出的第一铜箔层后形成第一凹槽的剖视图。

图4是从图3中剥去第一光致抗蚀层后的剖视图。

图5是在图4中的第一铜箔层上设置一层具有多个开口的电镀阻挡层，并在从每个开口露出的铜面上电镀形成电性接触垫后的剖视图。

图6是从图5中移除所述电镀阻挡层后的剖视图。

图7是在图6所示的第一凹槽中贴装芯片后的剖视图。

图8是在图7所述第一铜箔层侧形成封装胶体后的剖视图。

图9是在图8所述的封装胶体侧层压第一覆铜基板后的剖视图。

图10是在图9的基础上形成第一盲孔后的剖视图。

图11是在图10的基础上形成第二盲孔后的剖视图。

图12是在图11的基础上电镀填孔并形成第一内层导电线路图形后的剖视图。

图13是在图12的基础上层压第二覆铜基板并形成第三盲孔后的剖视图。

图14是在图13的基础上电镀填孔并形成第二内层导电线路图形后的剖视图。

图15是在图14的基础上层压第三覆铜基板并形成第四盲孔后的剖视图。