[发明专利]具有屏蔽结构的半导体装置

权利要求书

1.一种具有屏蔽结构的半导体装置，包括：

基底，包括主动面以及背面；

射频电路，设置在该基底的该主动面的一侧；

屏蔽结构，至少设置在该基底中且包围该射频电路，该屏蔽结构接地，其中该屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极，该屏蔽穿硅电极没有贯穿该基底；以及

金属内连线系统，设置在该基底的该主动面的一侧，该金属内连线系统包括一连接线路，且该连接线路连接电位信号至该射频电路。

2.如权利要求1所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该金属内连线系统还包括屏蔽线路，其中该屏蔽结构包括该屏蔽线路。

3.如权利要求2所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该屏蔽线路电连接该屏蔽穿硅电极。

4.如权利要求1所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该屏蔽穿硅电极从俯视图来看，为封闭的多边形。

5.如权利要求1所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该屏蔽穿硅电极从俯视图来看，为具有缺口的多边形。

6.如权利要求5所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该半导体装置为芯片，且从俯视图来看，该缺口与该基底最靠近该缺口的边缘之间没有任何主动电路。

7.如权利要求5所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该半导体装置为封装体，该基底、该射频电路、该屏蔽结构以及该金属内连线系统位于芯片中，该芯片位于该封装体中，从俯视图来看，该芯片的该缺口与该封装体最靠近该缺口的边缘之间没有其他芯片。

8.如权利要求1所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该半导体装置为封装体，且该封装体还包括电路板，其中该电路板通过引线、锡球或重布线层与该连接线路电连接。

9.如权利要求8所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该引线、该锡球与该重布层位于该基底的该主动面的一侧。

10.如权利要求8所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该基底依序包括有绝缘层以及半导体层，该半导体层位于该绝缘层上。

11.如权利要求10所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该绝缘层与该电路板之间没有任何半导体材料。

12.如权利要求1所述的具有屏蔽结构的半导体装置，还包括连接穿硅电极设置于该基底中，其中该连接穿硅电极贯穿该基底。

13.一种具有屏蔽结构的半导体装置，包括：

基底，依序包括有背面、基材、绝缘层、半导体层以及主动面；

射频电路，设置在该半导体层中；

屏蔽结构，至少设置在该半导体层中且包围该射频电路，该屏蔽结构接地，其中该屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极，该屏蔽穿硅电极贯穿该半导体层，但没有延伸至该绝缘层；以及

连接穿硅电极，贯穿该基底，且该连接穿硅电极连接电位信号至该射频电路。

14.如权利要求13所述的具有屏蔽结构的半导体装置，还包括金属内连线系统设置于该基底的该主动面的一侧，其中该金属内连线系统包括屏蔽线路，其中该屏蔽结构包括该屏蔽线路。

15.如权利要求14所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该屏蔽线路电连接该屏蔽穿硅电极。

16.如权利要求13所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该屏蔽穿硅电极从俯视图来看，为封闭的多边形。

17.如权利要求13所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该屏蔽穿硅电极从俯视图来看，为具有缺口的多边形。