[发明专利]半导体装置和具有半导体装置的堆叠半导体封装在审
申请号: | 201310291086.3 | 申请日: | 2013-07-11 |
公开(公告)号: | CN103545270A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 李辰熙;金泽众 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 赵国荣 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 具有 堆叠 封装 | ||
1.一种半导体装置,包括:
多个半导体芯片,通过划片线连接;
多个穿通电极,形成在该多个半导体芯片的每一个中;
散热构件,形成在该划片线中;以及
传热构件,连接该穿通电极与该散热构件。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中该多个半导体芯片连接成行。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中该多个半导体芯片连接成矩阵形式。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中该散热构件包括:
穿通部分,穿过该划片线的一个表面和该划片线的背对该一个表面的另一个表面;以及
散热部分,形成在该划片线之上且与该穿通部分连接。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中该散热部分形成在该划片线的该一个表面和该另一个表面的任何一个之上。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,还包括:
凹陷,通过将该划片线的该一个表面和该划片线的背对该一个表面的该另一个表面的至少任何一个蚀刻部分厚度而得到。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中该凹陷填充有该散热部分。
8.根据权利要求4所述的半导体装置,其中该穿通部分形成为多个,从而该穿通部分分别对应于该多个半导体芯片的每一个中形成的该多个穿通电极。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中该散热部分与该多个穿通部分的全部连接。
10.一种堆叠半导体封装,包括:
多个半导体装置,每一个包括通过划片线连接的多个半导体芯片、形成在该多个半导体芯片的每一个中的多个穿通电极、形成在该划片线中的散热构件和连接该穿通电极与该散热构件的传热构件,该半导体装置堆叠为使得它们的穿通电极和散热构件彼此连接;以及
多个连接构件,电连接堆叠的该些半导体装置的该些穿通电极。
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