[发明专利]一种RF射频器件的封装工艺有效
| 申请号： | 201310291008.3 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103346096A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 马强;黄翔 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rf 射频 器件 封装 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种RF射频器件封装工艺，其特征在于，包括步骤：
提供一待封装芯片和该芯片需要封装的目标基板，该芯片上设有若干RF射频器件；
对上述芯片进行芯片背金工艺，在该芯片的背面制作多层金属层；
在上述目标基板上制作金属镀层；
在目标基板上进行点胶工艺，点胶采用烧结型导电银胶；
将芯片放置于目标基板上的导电银胶，放入烧结设备中，加热至导电银胶的烧结温度进行烧结，直至导电银胶烧结成固状银层；
进行封装后续工艺。
2.如权利要求1所述的RF射频器件封装工艺，其特征在于：所述背金工艺中，在芯片背面制作的多层金属层为Ti/Ni/Ag的组合，或者是Ti/Ni/V/Ag的组合。
3.如权利要求1所述的RF射频器件封装工艺，其特征在于：所述基板金属镀层为Ni/Ag或者Ni/Au的镀层，该金属镀层的制作方法是化学或物理的气相沉积、磁控溅射或电镀、蒸镀工艺中的一种。
4.如权利要求1所述的RF射频器件封装工艺，其特征在于：所述金属镀层的厚度在1～5um之间。
5.如权利要求1所述的RF射频器件封装工艺，其特征在于：所述烧结温度为200度至250度，烧结进行的时间为0.5小时至2小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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