[发明专利]一种A1掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜及其制备方法

权利要求书

1.一种Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜的生长方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)准备材料：透明导电玻璃、六水合硝酸锌、九水合硝酸铝、去离子水；

(2)配制溶液：按比例称量六水合硝酸锌和九水合硝酸铝为溶质，以去离子水为溶剂，配制硝酸锌与硝酸铝混合溶液；

(3)阵列膜的制备：以硝酸锌和硝酸铝混合水溶液为电沉积溶液，白金钛网或铂为阳极(惰性电极)，透明导电膜玻璃为阴极，接通电源，在透明导电膜玻璃上电沉积法生长一层Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜；

(4)热处理：在空气气氛下，约530℃，保温1h，随炉降温；真空条件下或N₂+H₂气氛下的热处理，约450℃，保温0.5～1h，随炉降温。

2.根据权利要求1所述的一种Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜的生长方法，其特征在于，所述六水合硝酸锌和九水合硝酸铝为锌源和铝源，二者的混合水溶液为电沉积溶液，混合溶液中较佳的Al/Zn原子比例为2at.％～6at.％。

3.根据权利要求2所述的一种Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜的生长方法，其特征在于所述硝酸锌浓度为0.001M～0.05M，硝酸铝浓度则按权利要求2中Al/Zn原子比例进行配制，极板间距离为1cm～5cm，电沉积温度为80±3℃，电沉积生长时间为30～90min，较佳的电流密度范围为-1mA/cm²至-10mA/cm²。

4.一种Al掺杂ZnO透明导电微/纳米线阵列膜，其特征在于采用如权利要求1-3所述的方法制备，该阵列膜具有优良的导电性和可见光透明性，同时具有微/纳米线阵列膜的绒面陷光效应。