[发明专利]含有二氟甲氧桥类极性单体化合物的液晶组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶化合物，尤其涉及一种含有二氟甲氧桥类极性单体化合物的液晶组合物，属于液晶显示材料技术领域。

背景技术

液晶显示元件根据显示模式的不同可分为TN（twisted nemtic扭曲向列）、STN（super teisted nemtic超扭曲向列）、IPS（in-plan switching面内转换）、VA（vertical aligbnent垂直配向）、OCB（optically compensated bend光学补偿弯曲）等类型。随着TFT（thin film transistor薄膜晶体管）阵列驱动液晶显示（TFT-LCD）技术的飞速发展，近年来人们一直在积极研究具有快速响应和高对比度等特性的TFT显示器。

薄膜晶体管（TFT）液晶显示材料要求液晶化合物不仅要具备高的化学稳定性、宽液晶温度相区，而且必须具有高电压保持率、高电阻率、较高的介电各向异性（Δε）、低的旋转粘度（γ₁）等特性。含氟液晶材料由于具有上述TFT液晶材料所需要的各种综合性能，成为TFT液晶显示材料的关键材料，而具有二氟甲氧桥键（-CF₂O-）类液晶是20世纪80年代末期以来逐渐开发的一类重要的含氟液晶。研究发现，在液晶化合物设计过程中，合理地引入二氟亚甲基桥键可以起到如下作用：

①增宽向列相温度范围；

②增大介电各向异性（Δε）；

③改善液晶化合物的溶解性能；

④降低旋转粘度（γ₁）；

⑤改善电压保持率（VHR）。

可见，开发含有二氟甲氧基桥键类液晶化合物的液晶材料成为TFT-LCD研发的重点。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种具有高电荷保持率、低功耗、低旋转粘度（γ₁）、快响应速度的、适用于制造快速响应TFT-CD的含有二氟甲氧桥类极性单体化合物的液晶组合物。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：

含有二氟甲氧桥类极性单体化合物的液晶组合物，包含按质量百分比计为1%～50%的通式I所示的化合物、按质量百分比计为1%～50%的通式II所示的化合物、按质量百分比计为1%～70%的通式III所示的化合物、按质量百分比计为0～50%的通式IV所示的化合物、按质量百分比计为0～40%的通式V所示的化合物、按质量百分比计为0～40%的通式VI所示的化合物，并且通式I～通式VI所示的化合物的质量百分比之和为100%，另外添加按质量百分比计为0～0.5%的所述通式I～通式VI所示的化合物的质量之和的旋光性化合物，

其中，

R₂、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈是-H、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为2～10的链烯基、碳原子数为3～8的链烯氧基的其中一种，或者碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为2～10的链烯基、碳原子数为3～8的链烯氧基中的一个或多个氢被氟取代后所形成的基团的其中一种；

R₁、R₃、R₉、X₄、X₇是下述①～④所列基团中的任意一种：

①：-H、-Cl、-F、-CN、-OCN、-OCF₃、-CF₃、-CHF₂、-CH₂F、-OCHF₂、-SCN、-NCS、-SF₅，

②：碳原子数为1～15的烷基、碳原子数为1～15的烷氧基、碳原子数为2～15的烯基、碳原子数为2～15的烯氧基，

③：上述②中所述的基团中的一个或多个-CH₂-被-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OOC-、环丁烷、环戊烷、-O-、-S-替代且替代后以氧原子不直接相连的形式所形成的基团，