[发明专利]彩色滤光阵列基板及其制造方法有效
| 申请号: | 201310288932.6 | 申请日: | 2013-07-10 | 
| 公开(公告)号: | CN103309106A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 | 
| 发明(设计)人: | 董成才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 | 
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1335 | 
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 | 
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 彩色 滤光 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种彩色滤光阵列基板,其特征在于,包括:
一玻璃基板(20),其包括显示区及位于显示区外围的非显示区;
一第一金属层,位于所述玻璃基板(20)上,用来形成位于非显示区的第一外围金属层部分(21)及位于显示区的第一内部金属层部分;
一绝缘层(22),位于所述玻璃基板(20)以及所述第一金属层上;
一第二金属层,位于所述绝缘层(22)上,用来形成位于非显示区的第二外围金属层部分(26)及位于显示区的第二内部金属层部分;
一彩色滤光层(23),位于所述绝缘层(22)与第二金属层之间,所述彩色滤光层(23)包括位于显示区的彩色部分及位于第一外围金属层部分(21)与第二外围金属层部分(26)交错位置的阻隔部分(50);
一透明导电层,位于第二金属层上。
2.如权利要求1所述的彩色滤光阵列基板,其特征在于,还包括:
一第一保护层(24),位于所述彩色滤光层(23)上;
一主动层(25),位于所述第一保护层(24)上,所述第二金属层位于所述主动层(25)上;
一第二保护层(27),位于所述第二金属层以及第一保护层(24)上;
一平坦化层(28),位于所述第二保护层(27)上,所述透明导电层位于该平坦化层(28)上。
3.如权利要求2所述的彩色滤光阵列基板,其特征在于,还包括一非晶硅层(30),该非晶硅层(30)位于第一保护层(24)与主动层(25)之间。
4.如权利要求1所述的彩色滤光阵列基板,其特征在于,所述阻隔部分(50)为单层、双层或三层结构,当所述阻隔部分(50)为单层结构时,该阻隔部分(50)为红色色阻层、蓝色色阻层或绿色色阻层;当所述阻隔部分(50’)为双层结构时,该阻隔部分(50’)包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层中的任意两种;当所述阻隔部分(50’’)为三层结构时,该阻隔部分(50’’)包括红色色阻层、蓝色色阻层以及绿色色阻层。
5.一种彩色滤光阵列基板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、提供一玻璃基板(20),该玻璃基板(20)包括显示区及位于显示区外围的非显示区;
步骤2、在所述玻璃基板(20)上形成第一金属层,并通过光罩制程图案化该第一金属层,以形成位于非显示区的第一外围金属层部分(21)及位于显示区的第一内部金属层部分,该第一内部金属层部分包括薄膜晶体管的栅极及存储电容的一电极;
步骤3、在所述第一金属层以及玻璃基板(20)上形成绝缘层(22),并通过光罩制程图案化该绝缘层(22);
步骤4、在所述绝缘层(22)上形成彩色滤光层(23),并通过光罩制程图案化该彩色滤光层(23),以形成位于显示区的彩色部分及位于非显示区的阻隔部分(50);
步骤5、在彩色滤光层(23)上形成第一保护层(24),并通过光罩制程图案化该第一保护层(24);
步骤6、在第一保护层(24)上形成主动层(25),并通过光罩制程图案化该主动层(25),以形成所述薄膜晶体管的通道;
步骤7、在主动层(25)上形成第二金属层,并通过光罩制程图案化该第二金属层,以形成位于非显示区的第二外围金属层部分(26)及位于显示区的第二内部金属层部分,所述第二内部金属层部分包括薄膜晶体管的源/漏极,所述阻隔部分(50)位于第一外围金属层部分(21)与第二外围金属层部分(26)交错位置;
步骤8、在所述第二金属层以及第一保护层(24)上形成第二保护层(27),并通过光罩制程图案化该第二保护层(27);
步骤9、在第二保护层(27)上形成透明导电层,并通过光罩制程图案化该透明导电层,以形成所述存储电容的另一电极,该另一电极电性连接于所述薄膜晶体管的源/漏极。
6.如权利要求5所述的彩色滤光阵列基板的制造方法,其特征在于,所述步骤8还包括在第二保护层(27)上形成平坦化层(28),并通过光罩制程图案化该平坦化层(28);所述步骤9中的透明导电层形成于平坦化层(28)上。
7.如权利要求5所述的彩色滤光阵列基板的制造方法,其特征在于,所述步骤5还包括在第一保护层(24)上形成非晶硅层(30),并对该非晶硅层(30)进行掺杂制程;所述步骤6中的主动层(25)形成于该非晶硅层(30)上。
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