[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本申请涉及一种半导体封装件及其制造方法，更具体地讲，本申请涉及一种改善了电磁波屏蔽、信号完整性和散热效果的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

对于许多集成电路芯片来说，越来越多地使用高频信号。然而，高频信号经常伴随着信号完整性和电磁波屏蔽的问题。另外，对于功耗较大的半导体封装件，如何散热也是一个难题，例如，现有技术中经常使用散热胶等来散热。

图1是根据现有技术的半导体封装件的示意图。参照图1，根据现有技术的半导体封装件包括：基底10；芯片11，位于基底10上，通过粘合层20附于基底10，并且通过键合引线14与引线框架12电连接；包封树脂15，包封芯片11；屏蔽层16，形成在包封树脂15的外表面上，以防止芯片10受到电磁波干扰。

另外，根据现有技术的半导体封装件还包括接地焊盘18、竖直导电结构17和导电焊球19，其中，竖直导电结构17在接地焊盘18和屏蔽层16之间提供电连接，通过竖直导电结构17、屏蔽层16的一部分以及导电焊球19将接地焊盘18电连接到接地引线13。因此，虽然屏蔽层16仅形成在包封树脂15的外表面上，但是可以通过屏蔽层16形成从接地焊盘18到接地引线13的通路。

即，根据现有技术的半导体封装件，为了防止电磁干扰，需要在包封树脂15的外表面上形成单独的屏蔽层16，从而需要单独的制造工艺，增加了制造成本。

发明内容

为了克服现有技术中的问题，本发明提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：基底；芯片，位于基底上；粘合层，位于基底和芯片之间，将芯片附于基底；导电结构，分散在粘合层中，将芯片与基底电连接；导电模制化合物，包封芯片并且接地。

根据本发明的实施例，所述半导体封装件还包括位于基底中的接地焊盘和位于基底下方的接地焊球，所述导电模制化合物经由接地焊盘电连接到接地焊球。所述粘合层由绝缘材料制成，防止芯片与导电模制化合物电连接。

根据本发明的实施例，所述粘合层由聚对二甲苯制成。所述导电模制化合物由环氧树脂和金属导电颗粒制成或者由环氧树脂和导电化合物制成。

本发明还提供了一种半导体芯片，所述半导体封装件包括：基底；芯片，位于基底上；键合引线，将芯片电连接到基底；绝缘层，覆盖芯片和键合引线；导电模制化合物，包封芯片并且接地，其中，绝缘层防止芯片和键合引线与导电模制化合物电连接。

本发明提供了一种半导体封装件的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：提供基底；通过粘合层将芯片附于基底，并且通过设置在粘合层中的导电结构将芯片与基底电连接；用导电模制化合物包封芯片，并且所述导电模制化合物接地。

本发明还提供了一种半导体封装件的制造方法，所述半导体封装件的制造方法包括以下步骤：提供基底；将芯片层叠在基底上方；通过键合引线将芯片电连接到基底；在芯片和键合引线上涂覆绝缘层；用导电模制化合物包封芯片，并且所述导电模制化合物接地。

通过采用导电模制化合物来包封芯片，将芯片的背面与接地焊盘电连接，从而能够防止芯片受电磁波干扰，并且能够快速散热。因此，根据本发明，不需要另外的结构来防止电磁干扰，简化了结构，降低了制造成本。

附图说明

通过结合附图详细描述本发明的实施例，本发明的许多特征和优点将变得更加清楚，在附图中：

图1是根据现有技术的半导体封装件的示意图；

图2是根据本发明第一示例性实施例的半导体封装件的剖视图；

图3是根据本发明第二示例性实施例的半导体封装件的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述根据本发明实施例的半导体封装件。

图2是根据本发明第一示例性实施例的半导体封装件的剖视图。参照图2，根据本发明第一示例性实施例的半导体封装件包括：基底100；芯片130，位于基底100上，通过粘合层150附于基底100；导电结构140，分散在粘合层150中，将芯片130与基底100中的导电焊盘电连接；导电模制化合物160，包封芯片130，从而保护芯片130免受外部损坏；导电焊球，位于基底100下方，用于将芯片130电连接到外部电路。