[发明专利]功率放大器

说明书

技术领域

本发明涉及在便携电话终端等中所使用的功率放大器。

背景技术

功率放大器的偏置电路具有根据导通/截止信号对放大器的基极供给偏压的晶体管。此外，为了减少低频噪声，设置有连接在放大器的基极与接地点之间的电容（例如，参照专利文献1）。在导通/截止信号从导通信号变为截止信号的瞬间，由于贮存在电容中的电荷，放大器保持导通的状态不变。然后，若电容的电荷经由电阻进行放电，则放大器变为截止。

现有技术文献

专利文献

专利文献1  日本特开2004-134826号公报。

在以往的偏置电路中，由于晶体管的截止时的漏电流，在放大器的截止时在电阻中也流过一定的电流，功耗增加。但是，为了使便携电话的待机时间变长，需要在待机时使在功率放大器中流过的电流为10μA以下。

此外，若为了减少功耗而使电阻的电阻值变大，则放电所需要的时间变长，开关速度变慢。但是，在便携电话用的功率放大器中，需要以数μs以下进行截止。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种功率放大器，能够减少功耗并且使开关速度变快。

本发明提供一种功率放大器，其特征在于，具备：放大器，具有输入端子；晶体管，根据导通/截止信号，向所述放大器的所述输入端子供给偏压；电容，连接在所述放大器的所述输入端子与接地点之间；电阻，在所述放大器的所述输入端子与接地点之间，与所述电容并联连接；二极管，与所述电阻串联连接，所述二极管的开启电压比所述放大器的导通电压低。

根据本发明，能够减少功耗并且使开关速度变快。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的功率放大器的图。

图2是示出本发明的实施方式1的偏置电路的图。

图3是示出比较例的偏置电路的图。

图4是示出本发明的实施方式2的偏置电路的图。

图5是示出本发明的实施方式2中的控制信号的时序图。

图6是示出本发明的实施方式3的偏置电路的图。

图7是示出本发明的实施方式3中的控制信号的时序图。

图8是示出本发明的实施方式4的偏置电路的图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式的功率放大器进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的附图标记，存在省略重复说明的情况。

实施方式1

图1是示出本发明的实施方式1的功率放大器的图。该功率放大器安装于便携电话终端等。输入到输入端子IN的RF信号被初级晶体管Tr1以及后级晶体管Tr2放大而从输出端子OUT输出。此处为两级放大器，但是并不限于此，只要是两级以上的多级放大器即可。Tr1以及Tr2由GaAs-HBT构成。

利用偏置电路向Tr1以及Tr2的基极供给基极电流。在Tr1的输入侧设置有输入匹配电路，在Tr1与Tr2之间设置有级间匹配电路，在Tr2的输出侧设置有输出匹配电路。对Tr1以及Tr2的集电极施加3.4V左右的集电极电压，发射极被接地。

图2是示出本发明的实施方式1的偏置电路的图。此处，对初级晶体管Tr1用的偏置电路的结构进行说明，但是，后级晶体管Tr2的偏置电路的结构也是同样的。

偏置电路具有作为GaAs-HBT的晶体管Trb1、Trb2、Trb3、场效应晶体管FETb1、电感器Lb1、电容Cb1、电阻Rb1、Rb2、GaAs肖特基二极管Db1。

FETb1与Rb1串联连接在Trb1的基极与基准电压端子VRef之间。连接成二极管的Trb2、Trb3串联连接在Trb1的基极与接地点之间。Trb1的集电极连接于电源端子VCB，Trb1的发射极与Tr1的基极连接。

Lb1与Cb1串联连接在Tr1的基极与接地点之间。Cb1是用于减少低频噪声的电容，其电容值通常为100pF以上（例如，1000pF）。Rb2在Tr1的基极与接地点之间与Cb1并联连接。该Rb2是用于在Tr1截止时使Cb1的电荷放电的电阻。

Db1与Rb2串联连接。Db1的开启电压（阈值电压）设定得比Tr1的导通电压（阈值电压）低。例如，作为HBT的Tr1的导通电压约为1.2V，相对于此，Db1的阈值电压为0.6V。