[发明专利]硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用

权利要求书

1.将硅纳米管阵列微纳结构作为太阳能电池的减反陷光层，其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785； 

其中填充率计算公式为：。

其中r₂、r₁分别为硅纳米管的外半径和内半径，d为相邻两硅纳米管的中心距。 

2.按照权利要求1的将硅纳米管阵列微纳结构作为太阳能电池的减反陷光层，其中阵列填充率为0.2，内外径之比大于0.4。