[发明专利]具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏有效
申请号: | 201310285738.2 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103353819A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 叶志;王文;骆季奎 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 高精度 手写 输入 功能 电容 多点 触摸屏 | ||
1.一种具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,由下至上依次包括透明绝缘衬底、下透明导电层、透明半导体层、栅绝缘层、上透明导电层和钝化绝缘层,其特征在于,
下透明导电层包括若干条相互平行的触控感应线和自电容电极;
上透明导电层包括若干条相互平行且与触控感应线垂直绝缘相交的行扫描线,所述行扫描线上设有第一栅极,且第一栅极与行扫描线电连接;
透明半导体层设有第一沟道区,以及位于第一沟道区两侧且与第一沟道接触的第一源极和第一漏极;
透明半导体层与栅绝缘层和上透明导体层构成第一薄膜晶体管,分别以第一源极为源极,第一漏极为漏极,第一栅极为栅极,源极与触控感应线电连接,漏极与自电容电极电连接。
2.如权利要求1所述的具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,其特征在于,所述的栅绝缘层或钝化绝缘层均采用透明材料制成。
3.如权利要求2所述的具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,其特征在于,所述的栅绝缘层或钝化绝缘层材质为介电常数大于4ε0的介电绝缘材料。
4.如权利要求3所述的具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,其特征在于,所述介电绝缘材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或三氧化二铝。
5.如权利要求3所述的具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,其特征在于,所述的栅绝缘层厚度在10~500nm之间。
6.如权利要求1所述的具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,其特征在于,所述的透明半导体层材质是锌、锡、铜或铟的氧化物或者锌、锡、铟、镓、铝、钛、银或铜的其中两种或两种以上的氧化物的混合物。
7.如权利要求1所述的具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,其特征在于,所述的下透明导电层或上透明导电层的材质为透明导电氧化物。
8.如权利要求7所述的具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,其特征在于,所述的透明导电氧化物为铟锡氧化物或铝、铟、镓掺杂的氧化锌。
9.如权利要求2所述的具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,其特征在于,所述的透明绝缘衬底材料为玻璃或聚对苯二甲酸柔性材料。
10.如权利要求1-9中任一权利要求所述的具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏,其特征在于,
所述的透明半导体层设有第二沟道区,以及位于第二沟道区两侧且与第二沟道接触的第二源极和第二漏极;
所述的行扫描线上还设有第二栅极,且第二栅极与行扫描线电连接;
透明半导体层与栅绝缘层和上透明导体层构成第二薄膜晶体管,分别以第二源极为源极,第二漏极为漏极,以第二栅极为栅极,第二栅极所在行扫描线与形成第一薄膜晶体管栅极的第一栅极所在的行扫描线相邻,源极和栅极电连接,漏极与自电容电极电连接。
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