[发明专利]半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。 

背景技术

近年的半导体封装，出于封装的小型化、功能的高密度安装化的目的，由DIP(双排直插封装)为代表的插入安装型过渡到BGA(球栅阵列)为代表的表面安装型。 

这些半导体封装的制造中，在将半导体芯片胶粘固定到引线框或内插板等被粘物上时，有时使用芯片粘贴(芯片接合)材料。另外，出于高容量化的目的，在将半导体芯片堆叠(重叠)时，有时也使用芯片粘贴材料。 

不过，在内插板等被粘物表面存在数微米的凹凸，即使使用芯片粘贴材料，也不能将被粘物表面的凹凸充分地掩埋，在被粘物与芯片粘贴材料之间产生空隙，存在半导体封装的可靠性下降的问题(例如专利文献1)。 

现有技术文献 

专利文献 

专利文献1：日本特开2008-231366号公报 

发明内容

本发明鉴于前述问题而创立，其目的在于提供能够制造空隙少、 可靠性高的半导体装置的半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜以及带有切割薄膜的胶粘薄膜。 

本发明人为了解决上述现有技术的问题进行了研究，结果发现，通过将树脂密封工序时的一般温度(175℃)下的损耗角正切值(tanδ)调节为特定的值，利用密封树脂的注入压力，半导体装置用胶粘剂组合物可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋，并且完成了本发明。 

即，本发明涉及一种半导体装置用胶粘剂组合物，该半导体装置用胶粘剂组合物在175℃加热1小时后的动态粘弹性测定中的175℃的损耗角正切值(tanδ)为0.2～0.6。 

通过将树脂密封工序时的一般温度(175℃)下的损耗角正切值(tanδ)调节为特定的值，利用密封树脂的注入压力，半导体装置用胶粘剂组合物可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋，可以抑制空隙的产生，可以制造可靠性高的半导体装置。 

本发明中规定了在175℃加热1小时后的损耗角正切值(tanδ)。这设想的是：在将半导体芯片堆叠的半导体装置的制造中，通过芯片粘贴工序和丝焊工序而施加给半导体装置用胶粘剂组合物的热历史。近年来，出于高容量化的目的，芯片的堆叠数增加，因此芯片粘贴工序和丝焊工序增加。本发明中，由于设想这些热历史，因此在芯片粘贴工序和丝焊工序后进行的树脂密封工序中，即使半导体装置用胶粘剂组合物长时间暴露于高温，也可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋，可以抑制空隙的产生，可以制造可靠性高的半导体装置。 

损耗角正切值(tanδ)优选在施加频率1Hz的剪切应变的同时以10℃/分钟的升温速度测定。 

在175℃加热5小时后，动态粘弹性测定中的损耗角正切值(tanδ) 达到最大的温度优选为-30～75℃。 

在175℃加热5小时这样的条件，设想了在将半导体芯片堆叠的半导体装置的制造中的芯片粘贴工序、丝焊工序及树脂密封工序的热历史，并且所述构成规定了在这些工序后半导体装置用胶粘剂组合物的损耗角正切值(tanδ)达到最大的温度范围。根据所述构成，在半导体装置的日常使用温度范围-30～75℃中，可以得到良好的振动缓和性，可以减少所得到的半导体装置的故障。 

相对于有机树脂成分100重量份，热活化型潜伏性固化催化剂的含量优选为0.05重量份以下。为0.05重量份以下时，半导体装置用胶粘剂组合物的固化不会受到芯片粘贴工序和丝焊工序的影响而过度进行，可以将175℃的损耗角正切值(tanδ)适当地调节到0.2～0.6的范围，可以良好地掩埋被粘物表面的凹凸。 

有机树脂成分100重量%中的丙烯酸类树脂的含量优选为60～100重量%。由此，可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋，可以抑制空隙的产生，可以制造可靠性高的半导体装置。 

本发明还涉及一种半导体装置用胶粘薄膜，该半导体装置用胶粘薄膜在175℃加热1小时后的动态粘弹性测定中的175℃的损耗角正切值(tanδ)为0.2～0.6。 

半导体装置用胶粘薄膜优选作为芯片粘贴薄膜使用。 

本发明还涉及一种带有切割薄膜的胶粘薄膜，其中，在切割薄膜上层叠有半导体装置用胶粘薄膜。 

本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，包括使用半导体装置用胶粘薄膜将半导体芯片芯片粘贴到被粘物上的工序。 

本发明还涉及通过前述制造方法得到的半导体装置。 

附图说明