[发明专利]用于太阳能电池的三维硅纳米结构的制备方法

权利要求书

1.一种用于太阳能电池的三维硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）清洗硅片：以丙酮、乙醇、去离子水为清洗剂依次对n型单晶硅硅片进行清洗，然后将硅片放入H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中，115℃浸泡2～4小时之后用去离子水冲洗，得到清洁的硅表面；其中H₂SO₄和H₂O₂的体积比为3～4∶1；

（2）制备金字塔结构表面：将上述清洁后的硅片置入氢氧化钠和乙醇混合溶液，在75～85℃下浸泡30～60分钟得到刻有“金字塔”绒面结构的硅片； 

（3）再次清洗硅片：将上述刻有“金字塔”绒面结构的硅片在稀盐酸溶液中浸泡1～1.5个小时；之后取出用去离子水冲洗；再利用氮气吹干后放入氢氟酸溶液里浸泡8～12分钟；然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干；

（4）将上述用氮气吹干的硅片放入4.8M/L HF 和 0.02M/L AgNO₃混合溶液中，在室温下刻蚀4～8分钟，得到“金字塔”的绒面结构上刻有硅纳米线的硅片，将其放入硝酸中浸泡0.8～1.2小时，取出后用去离子水冲洗干净，最后用氮气吹干即可得到所述的三维硅纳米结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）的混合溶液中，氢氧化钠的质量分数为1%～3%；乙醇的体积分数为5%～10%。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）的稀盐酸溶液中，盐酸与水的体积比为1∶1；氢氟酸溶液中，氢氟酸与水的体积比为1∶3。