[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管，包括：

一生长基板；

发光外延层，位于生长基板上，其至下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

一个开口位于第二半导体层上，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；

一透明电流扩展层位于第二半导体层之上，至少部分区域与第二半导体层接触；

一金属电极层划分为第一金属电极层与第二金属电极层，第一金属电极层位于透明电流扩展上，第二金属电极层位于裸露的第一半导体层上；

一金属粘附层分别位于第一金属电极层和第二金属电极层上；

一半导体保护层位于上述结构之上，通过半导体保护层和金属粘附层开口形式，露出金属电极层表面；

其特征在于：所述金属粘附层与半导体保护层的开口位置上下对应，大小大体一致。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述第一金属电极层通过透明电流扩展开口形式与部分第二半导体层接触。

3.一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其主要包括以下工艺步骤：

1）提供一生长基板；

2）在生长基板上制作发光外延层，其至下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

3）采用蚀刻工艺，从第二半导体层蚀刻出至少一个开口，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；

4）在第二半导体层上制作电流扩展层；

5）采用电子束蒸发或离子溅射工艺，制作第一、第二金属电极层，分别覆盖于电流扩展层和裸露的第一半导体层之上；

6）采用电子束蒸发或离子溅射工艺，在第一、第二金属电极层上制作金属粘附层；

7）在上述结构上沉积半导体保护层，并通过同一道光罩作业，采用湿法或干法蚀刻工艺，同时制得半导体保护层和金属粘附层开口，露出金属电极层表面；

8）减薄、划裂成单颗芯粒；

其特征在于：所述金属粘附层与半导体保护层的开口位置上下对应，大小大体一致。

4.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属粘附层用于增加金属电极与半导体保护层之间的附着力。

5.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属粘附层呈环状，且环宽为3~15μm。

6.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属粘附层的厚度为50~1000 ?。

7.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第一、第二金属电极层和金属粘附层通过同一道电子束蒸发或离子溅射工艺制得。

8.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述制作半导体保护层和金属粘附层开口所采用的湿法蚀刻溶液为同一种。

9.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述制作半导体保护层和金属粘附层开口所采用的干法蚀刻为同一道。

10.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属粘附层材料选用Ti或TiN或Cr或Ni或前述的任意组合之一。

11.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述半导体保护层材料选用SiO₂或Si₃N₄或Al₂O₃ 或TiO₂或前述的任意组合之一。

12.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述生长基板材料选用蓝宝石（Al₂O₃）或碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）或硅（Si）。

13.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述透明导电层材料选用镍/金合金或镍/氧化铟锡合金或氧化铟锡或氧化锌或In掺杂氧化锌或Al掺杂氧化锌或Ga掺杂氧化锌或前述的任意组合之一。

14.根据权利要求3所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属电极层选用Cr或Pt或Au或Ti或Al或Ag或前述的任意组合之一。