[发明专利]一种在PDMS弹性体表面选区沉积银纳米颗粒的方法有效
| 申请号: | 201310282896.2 | 申请日: | 2013-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN103367247A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
| 发明(设计)人: | 鲁从华;王旭东 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;B81C1/00 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李丽萍 |
| 地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 pdms 弹性体 表面 选区 沉积 纳米 颗粒 方法 | ||
技术领域
本发明涉及聚合物的微结构加工技术,具体涉及一种PDMS弹性体为基底的多层膜皱纹化的工艺方法。
背景技术
近年来,为了降低大规模集成电路(ULSL)的尺寸,对金属的质量以及它们之间的连接线的尺寸有非常严格的要求。目前情况下,用于ULSL芯片相互连接的主要是铜和铝。由于铝相对较高的电阻,已经很难满足对所布置的连接线越来越窄和更加密集的要求。虽然铜的导电性更加优异,并且有较低的电迁移和应力迁移。但是需要扩散势垒层防止铜扩散到硅材料中,这样就很容易增大电电路的尺寸。在金属材料中,银的熔点相对较高同时导电性非常出色,是替换铜和铝的最佳材料之一。另一方面随着信息产业的发展和集成度的提高,起皱作为一种制备微米、亚微米尺度微图案的技术不同于传统刻蚀技术,具有简单、快速、廉价的特点,因此制备大面积的皱纹图案是当前国际上的研究热点,也是现代图案化技术的发展趋势。皱纹图案化有许多广泛的应用,如传感器和催化剂的载体、微电子器件中的低介电常数材料、药物传输和缓释材料等。在近几年材料科学的研究领域中,利用聚合物材料可控合成微纳米尺度的图形结构是其中之一。
PDMS作为一种有机硅材料在微电子产业中有着很多用途、易加工、光学性能良好并且有着独特弹性的热门材料已经在如生物芯片、有机电子学、微流体芯片等新兴领域得到了广泛的应用,而银纳米颗粒在改变材料浸润性、生物医学、拉曼光谱中也有很大的利用价值。
发明内容
针对上述现有技术,本发明提供一种在PDMS弹性体表面选区沉积银纳米颗粒的方法。本发明方法具有快速,简便的特点,且具有良好的重复性,可大面积沉积粒径均一的银纳米颗粒并且可以得到规整的图案。本发明利用简单的方法,就可以对银纳米颗粒图案进行精确调控,避免了繁琐的步骤。规整图案的银纳米颗粒在制备微流控器件,改变浸润性,大规模集成电路等方面具有很大的应用价值。
为了解决上述技术问题,本发明一种在PDMS弹性体表面选区沉积银纳米颗粒的方法,包括以下步骤:
步骤一、将PDMS预聚体与交联剂按质量比为10:1混合后,倒入培养皿中充分搅拌形成预聚合物;
步骤二、对预聚合物依次进行脱气、干燥、固化后形成PDMS弹性体;
步骤三、将固化好的PDMS弹性体剪切成6cm×2cm的长条,在预拉伸20%的状态下经过氧等离子体处理10min,从氧等离子体中取出后以0.5%/min的速率回缩得到皱纹模板;
步骤四、将上述得到的皱纹模板浸入到氯化亚锡溶液中,浸泡20min之后取出皱纹模板,在氮气氛围下干燥;
步骤五、以步骤二中制备得到的PDMS弹性体为基底,将步骤四所得皱纹模板与该基底面对面相接触,垂直于接触面方向施加20g的负载,两者接触30min后将皱纹模板从基底上揭去,在皱纹模板和基底的表面上分别得到亚锡离子的选区图案;
步骤六、将经过步骤五处理后的皱纹模板与基底分别浸入到无电沉积液中,反应40min后取出,用蒸馏水多次冲洗后干燥,从而在PDMS弹性体表面上形成图案化的银纳米颗粒。
进一步讲,步骤四中,还包括将皱纹模板与基底面对面的再次接触,再次接触之前,皱纹模板相对基底旋转30~90度。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:PDMS价格低廉,具有良好的弹性、透光性,无毒、易加工,是当前应用最多的微流控芯片材料之一。无电沉积技术是在基底表面构筑亚微米级金属薄膜的主要方法之一,操作简单、成本较低且由于是液相反应,对样品的形状、大小都没有限制。本发明是以PDMS皱纹图案为模板,与无电沉积技术相结合实现了银纳米颗粒的选区沉积。通过预拉伸的PDMS在氧等离子体中处理后回缩得到皱纹图案,通过PDMS基底与皱纹模板相接触,选择性转移亚锡离子,再经过无电沉积实现了银纳米颗粒的选择性沉积。本发明方法具有快速,简单的特点,避免了使用昂贵的材料、复杂的仪器和苛刻的工艺条件。本发明选用PDMS作为模板和基底,利用简单的操作方式廉价的试剂实现了在PDMS表面沉积粒径均一的银纳米颗粒并实现了对银纳米颗粒的形貌进行精确地调控,从而避免了造价高昂的仪器的使用以及繁琐的操作步骤。
附图说明
图1为实施例1制备的模板表面上银纳米颗粒薄膜皱纹结构的光学显微镜图片;
图2为实施例1制备的基底表面上银纳米颗粒薄膜皱纹结构的光学显微镜图片;
图3为实施例2制备的模板表面上银纳米颗粒薄膜皱纹结构的光学显微镜图片;
图4为实施例2制备的基底表面上银纳米颗粒薄膜皱纹结构的光学显微镜图片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





