[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置以及压接装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法、半导体装置以及压接装置。

背景技术

近年来，随着半导体集成电路、显示器等电子部件的小型化、薄型化、高精细化，作为用于高密度地连接电子部件和电路系统的连接材料，各向异性导电性粘接剂受到关注。在以前的各向异性导电性粘接剂中，经常使用使用了热潜在性聚合引发剂和环氧树脂、（甲基）丙烯酸单体的热固化系粘接剂，但担心由于连接时的热导致被连接体劣化、变形。另一方面，在使用光潜在性聚合引发剂的情况下，在加热压接时通过进行光照射能够进行较低温下的连接，并进行了研究。

在使用含有光潜在性聚合引发剂的各向异性导电性粘接剂的半导体装置的制造方法中，例如将分散有金属粒子、对塑料粒子实施金属镀敷而形成的导电粒子的光固化系粘接剂用作各向异性导电性粘接剂。然后，在半导体元件和基板之间夹住该各向异性导电性粘接剂，一边通过加压头加压一边进行光照射（例如参照日本实开平5-41091号公报、日本特开昭62-283581号公报）。由此，加压后的导电粒子成为电连接媒介，通过简单的方法可以同时完成多个电路间的电连接。另外，通过粘接剂的各向异性导电性，使得在连接电路间获得低电阻连接性，在邻接电路间获得高绝缘性。

发明内容

另外，在使用上述那样含有光潜在性聚合引发剂的各向异性导电性粘接剂的情况下，一边通过加压头进行半导体元件和基板的加压，一边从半导体元件和基板的周围进行光照射。然而，在仅从周围进行光照射时，对粘接层的光照射不充分，粘接层的固化不充分，结果恐怕无法获得半导体元件和基板的连接性。

对此，在上述的日本实开平5-41091号公报、日本特开昭62-283581号公报的半导体元件的连接方法中记载有如下方法：在放置半导体元件和基板的平台内部配置光照射装置，从基板的背面侧对粘接层照射光。在这样的方法中，认为可充分获得对粘接层的光照射量，但由于平台的结构复杂化，因此存在压接装置的改造成本提高这样的问题。

本发明是为了解决上述课题而作出的发明，目的在于提供能够通过简单的方法使光固化性粘接层充分地固化而得到半导体元件和基板的良好连接性的半导体装置的制造方法、半导体装置以及压接装置。

为了解决上述课题，本发明的一方面的半导体装置的制造方法的特征在于，其是具有如下连接工序的半导体装置的制造方法，该连接工序为：隔着光固化性粘接层在放置于平台上的光透过性基板上配置半导体元件，通过利用压接头进行的加压和利用光照射装置进行的光照射将半导体元件连接在光透过性基板上，在连接工序中，在与粘接层相比更靠近平台的位置设置光反射层，通过光反射层使来自光照射装置的光反射而照射在粘接层上，从而使粘接层固化。

在该半导体装置的制造方法中，通过在与粘接层相比更靠近平台的位置配置的光反射层，能够从粘接层的底面侧照射来自光照射装置的光。因此，与仅从粘接层的周围进行光照射的情况相比，能够对粘接层照射充分量的光，能够得到半导体元件和光透过性基板的良好连接性。另外，本方法通过只是在与粘接层相比更靠近平台的位置设置光反射层的简单结构就能够实现，因此还能够避免压接装置的改造成本提高。

另外，可以在粘接层和平台之间设置光反射层。在这种情况下，能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。

另外，光透过性基板可以为厚度1mm以下的玻璃基板，可以在玻璃基板和平台之间进一步配置光透过性构件，可以在玻璃基板和平台之间设置光反射层。在这种情况下，即使在玻璃基板薄的情况下，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。

另外，在光透过性构件中，可以在面向玻璃基板侧的面上设置光反射层。在这样的构成中，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。

另外，在光透过性构件中，可以在面向平台侧的面上设置光反射层。在这样的构成中，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。

另外，可以在光透过性构件的内部设置光反射层。在这样的构成中，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。

另外，在光透过性构件的内部，可以以弯曲成平台侧凸出的状态设置光反射层。在这种情况下，能够使光反射层上的光的反射角变大，从而能够将来自光照射装置的光对粘接层更加充分地照射。

另外，可以由光透过性构件形成平台的表面部，可以在光透过性基板和平台的基部之间设置光反射层。在这种情况下，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。

另外，可以一边相对于光反射层摆动光照射装置一边进行光照射。这样的话，可实现对粘接层照射的光的均匀化。