[发明专利]具有降低的应力各向异性的薄膜

权利要求书

1.一种数据存储设备，包括薄膜，所述薄膜被沉积在低温基板上，并且在初次退火期间经过应力调节以降低不想要的应力各向异性。

2.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述低温基板是冷却至室温以下的温度的基板。

3.如权利要求2所述的数据存储设备，其特征在于，所述温度大约为50开尔文。

4.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述薄膜是单独的连续磁性屏蔽层。

5.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述薄膜是通过调整溅射压力而经过应力调节的。

6.如权利要求5所述的数据存储设备，其特征在于，所述溅射压力响应于将所述薄膜升温至室温而被调整。

7.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述薄膜是响应于所述薄膜的厚度而经过应力调节的。

8.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述薄膜经过应力调节以在加热所述薄膜时维持压力负荷。

9.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述薄膜是通过调整溅射功率而经过应力调节的。

10.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述薄膜具有在初次退火之后在室温下的近零应力。

11.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，在执行所述初次退火之后，在大约225摄氏度下执行二次退火。

12.如权利要求11所述的数据存储设备，其特征在于，执行所述二次退火大约2小时。

13.一种磁性元件，包括邻近第二薄膜的第一薄膜，所述第一和第二薄膜均在低温基板上形成，并且在初次退火期间利用可变溅射压力经过应力调节以提供近零薄膜应力。

14.如权利要求13所述的磁性元件，其特征在于，所述近零薄膜应力在大约室温下。

15.如权利要求13所述的磁性元件，其特征在于，所述溅射压力在50和90sccm之间调节。

16.如权利要求13所述的磁性元件，其特征在于，所述第一和第二薄膜分别形成。

17.一种方法，包括：

将基板冷却至低温基板温度；

在所述基板上沉积第一薄膜；以及

在初次退火期间调节所述第一薄膜的应力以降低不想要的应力各向异性。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述初次退火是从低温温度至室温。

19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述基板上形成具有经调节的屏蔽应力的第二薄膜以提高粘附并减少分层。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述应力在将所述第二薄膜加热至室温以上时经过调节。