[发明专利]一种人工多孔二氧化钛复合结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310281710.1 申请日: 2013-07-07
公开(公告)号: CN103447016A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 林志苹 申请(专利权)人: 林志苹
主分类号: B01J21/06 分类号: B01J21/06;B01J37/34;B01J35/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315000 浙江省宁波市江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 人工 多孔 氧化 复合 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种人工多孔二氧化钛复合结构,包括衬底、过渡层、人工二氧化钛结构、孔、通气孔,其特征在于:所述的过渡层位于衬底的两面,且过渡层内分布有孔;所述的人工二氧化钛结构为长方体结构,且人工二氧化钛结构上分布有孔;所述的通气孔位于人工二氧化钛结构的内部,且贯穿人工二氧化钛结构。

2.根据权利要求1所述的一种人工多孔二氧化钛复合结构,其特征在于:

所述的孔的直径小于500 nm;

所述的通气孔为长方体结构,且长和宽的尺寸范围为1 μm~100 μm。

3.根据权利要求1所述的一种人工多孔二氧化钛复合结构,其特征在于:所述的人工多孔二氧化钛复合结构的制备方法为:

步骤1:采用钛靶和碳靶,利用共溅射的方法在衬底两面镀上钛、碳复合薄膜; 

步骤2:在镀有钛、碳复合薄膜的衬底上滴加紫外光抗蚀剂构成牺牲层,利用紫外曝光技术在牺牲层上得到阵列图形,使用显影的方法去除所述的阵列图形位置处的牺牲层;

步骤3:利用磁控溅射的方法在阵列图形位置沉积碳薄膜;

步骤4:采用去胶剂去除衬底上的牺牲层;

步骤5:在衬底上滴加紫外光抗蚀剂构成牺牲层,利用紫外曝光技术在牺牲层上得到阵列图案,阵列图案的位置与步骤2所述的阵列图形的位置重合,且阵列图案的宽度大于阵列图形的宽度,且阵列图案的长度小于阵列图形的长度,使用显影的方法去除所述的阵列图案位置处的牺牲层;

步骤6:将经历步骤5的衬底放置在滚轴之上,利用衬底两面的钛靶和碳靶,采用共溅射的方式,在步骤5所述的衬底上沉积钛、碳混合薄膜;

步骤7:将步骤6得到的结构放入高温炉内,温度大于500度,氧化时间大于30分钟以燃烧掉碳,形成孔,将牺牲层燃烧掉,同时将钛氧化成二氧化钛,进而得到人工多孔二氧化钛复合结构。

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