[发明专利]一种人工多孔二氧化钛复合结构及其制备方法有效
申请号: | 201310281710.1 | 申请日: | 2013-07-07 |
公开(公告)号: | CN103447016A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 林志苹 | 申请(专利权)人: | 林志苹 |
主分类号: | B01J21/06 | 分类号: | B01J21/06;B01J37/34;B01J35/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315000 浙江省宁波市江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 人工 多孔 氧化 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种人工多孔二氧化钛复合结构,包括衬底、过渡层、人工二氧化钛结构、孔、通气孔,其特征在于:所述的过渡层位于衬底的两面,且过渡层内分布有孔;所述的人工二氧化钛结构为长方体结构,且人工二氧化钛结构上分布有孔;所述的通气孔位于人工二氧化钛结构的内部,且贯穿人工二氧化钛结构。
2.根据权利要求1所述的一种人工多孔二氧化钛复合结构,其特征在于:
所述的孔的直径小于500 nm;
所述的通气孔为长方体结构,且长和宽的尺寸范围为1 μm~100 μm。
3.根据权利要求1所述的一种人工多孔二氧化钛复合结构,其特征在于:所述的人工多孔二氧化钛复合结构的制备方法为:
步骤1:采用钛靶和碳靶,利用共溅射的方法在衬底两面镀上钛、碳复合薄膜;
步骤2:在镀有钛、碳复合薄膜的衬底上滴加紫外光抗蚀剂构成牺牲层,利用紫外曝光技术在牺牲层上得到阵列图形,使用显影的方法去除所述的阵列图形位置处的牺牲层;
步骤3:利用磁控溅射的方法在阵列图形位置沉积碳薄膜;
步骤4:采用去胶剂去除衬底上的牺牲层;
步骤5:在衬底上滴加紫外光抗蚀剂构成牺牲层,利用紫外曝光技术在牺牲层上得到阵列图案,阵列图案的位置与步骤2所述的阵列图形的位置重合,且阵列图案的宽度大于阵列图形的宽度,且阵列图案的长度小于阵列图形的长度,使用显影的方法去除所述的阵列图案位置处的牺牲层;
步骤6:将经历步骤5的衬底放置在滚轴之上,利用衬底两面的钛靶和碳靶,采用共溅射的方式,在步骤5所述的衬底上沉积钛、碳混合薄膜;
步骤7:将步骤6得到的结构放入高温炉内,温度大于500度,氧化时间大于30分钟以燃烧掉碳,形成孔,将牺牲层燃烧掉,同时将钛氧化成二氧化钛,进而得到人工多孔二氧化钛复合结构。
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