[发明专利]具有布拉格反射层的倒装芯片发光二级管及其制备方法

权利要求书

1.具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，包括：

衬底材料；

形成于所述衬底材料上的N型层、发光层和P型层；

形成于所述N型层上的N电极；

其特征在于：

所述P型层上形成有多个分散设置的P电极；

在所述P型层表面设置布拉格反射层，所述P电极凸出于所述布拉格反射层并在所述布拉格反射层表面形成凸点。

2.如权利要求1所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述P电极呈同心圆环阵列形式排列。

3.如权利要求2所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述N电极位于所述芯片的几何中心。

4.如权利要求1所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述P电极呈矩阵形式排列。

5.如权利要求4所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述N型层上形成有4个分散设置的N电极，所述4个N电极分别位于所述芯片的四个角位置。

6.如权利要求1所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：还包括用于连接所述多点设置的P电极的电极连接层，所述电极连接层位于所述布拉格反射层表面。

7.如权利要求6所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述电极连接层为金属连接层。

8.如权利要求6所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述电极连接层为封装基板线路层。

9.如权利要求7所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：还包括位于所述P电极和N电极之间的绝缘层，形成P、N双电极焊接结构。

10.一种具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制作外延片：在衬底材料上形成N型层、发光层和P型层；

制作电极：在P型层的多个位置制作欧姆接触材料，光刻出P电极图案，进行金属-半导体微合金工艺，经沉积、光刻后形成P电极，光刻工艺后P电极露出于P型层，且P电极多点分散设置于P型层上；刻除部分发光层，在N型层上制作欧姆接触材料，光刻出N电极图案，进行金属-半导体微合金工艺，经沉积、光刻后形成N电极，光刻工艺后N电极露出于N型层；

形成布拉格反射层：在P型层上进行布拉格反射层镀膜，通过光刻工艺使P电极露出于布拉格反射层并在布拉格反射层表面形成凸点；

封装固晶：外延片经过衬底材料研磨减薄工艺后，进行芯片切割、裂片、测试及分选，进入封装工艺。