[发明专利]多层陶瓷电容器及其制造方法有效
申请号: | 201310279468.4 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN104103419A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 金亨俊 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 王崇;刘国平 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层陶瓷电容器,所述电容器包括:
陶瓷主体,所述陶瓷主体具有彼此相反的第一侧表面和第二侧表面以及将所述第一侧表面和所述第二侧表面彼此连接的第三末端表面和第四末端表面;
多个内部电极,所述多个内部电极在所述陶瓷主体中形成,并且所述多个内部电极的一个末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面;和
第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分使得从所述第一侧表面和所述第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小,
其中,当通过连接在内部电极的边缘之间的距离的中点与从内部电极延伸的线接触所述第一侧表面或所述第二侧表面的点得到的虚拟线,将所述第一侧边缘部分或所述第二侧边缘部分分成两个区域时,当与内部电极相邻的区域定义为S1并且S1的孔隙率定义为P1时,P1在1-20的范围内。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分由陶瓷浆料形成。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述内部电极包括第一内部电极和第二内部电极,所述第一内部电极具有一个末端暴露于所述第三末端表面,而形成另一个末端使得与所述第四末端表面具有预定的间隔,所述第二内部电极具有一个末端暴露于所述第四末端表面,而形成另一个末端使得与所述第三末端表面具有预定的间隔。
4.一种多层陶瓷电容器,所述电容器包括:
陶瓷主体,所述陶瓷主体具有彼此相反的第一侧表面和第二侧表面以及将所述第一侧表面和所述第二侧表面彼此连接的第三末端表面和第四末端表面;
多个内部电极,所述多个内部电极在所述陶瓷主体中形成,并且所述多个内部电极的一个末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面;和
第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分使得从所述第一侧表面和所述第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小,
其中,当通过连接在内部电极的边缘之间的距离的中点与从内部电极延伸的线接触所述第一侧表面或所述第二侧表面的点得到的虚拟线,将所述第一侧边缘部分或所述第二侧边缘部分分成两个区域时,当与内部电极相邻的区域定义为S1,与所述第一侧表面或所述第二侧表面相邻的区域定义为S2,S1的孔隙率定义为P1,并且S2的孔隙率定义为P2时,P1/P2大于2。
5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器,其中,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分由陶瓷浆料形成。
6.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器,其中,所述内部电极包括第一内部电极和第二内部电极,所述第一内部电极具有一个末端暴露于所述第三末端表面,而形成另一个末端使得与所述第四末端表面具有预定的间隔,所述第二内部电极具有一个末端暴露于所述第四末端表面,而形成另一个末端使得与所述第三末端表面具有预定的间隔。
7.一种制造多层陶瓷电容器的方法,所述方法包括:
制备第一陶瓷生片和第二陶瓷生片,在所述第一陶瓷生片上形成的多个条形第一内部电极图案使得所述多个条形第一内部电极图案之间具有预定的间隔,在所述第二陶瓷生片上形成的多个条形第二内部电极图案使得所述多个条形第二内部电极图案之间具有预定的间隔;
通过堆叠所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片而形成陶瓷生片多层主体,使得所述条形第一内部电极图案和所述条形第二内部电极图案交替堆叠;
切割所述陶瓷生片多层主体,同时横断所述条形第一内部电极图案和所述条形第二内部电极图案,使得第一内部电极和第二内部电极具有预定的宽度,并且所述陶瓷生片多层主体具有侧表面,所述第一内部电极和所述第二内部电极的边缘沿宽度方向暴露于所述侧表面;和
通过使用陶瓷浆料,在所述侧表面上形成第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,所述第一内部电极和所述第二内部电极的边缘暴露于所述侧表面,
其中,形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分,使得从第一侧表面和第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小,并且当通过连接在内部电极的边缘之间的距离的中点与从内部电极延伸的线接触所述第一侧表面或所述第二侧表面的点得到的虚拟线,将所述第一侧边缘部分或所述第二侧边缘部分分成两个区域时,当与内部电极相邻的区域定义为S1并且S1的孔隙率定义为P1时,P1在1-20的范围内。
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