[发明专利]改善染污的硫化硅橡胶制品表面憎水性的方法及系统有效

专利信息
申请号: 201310278847.1 申请日: 2013-07-04
公开(公告)号: CN103354141A 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 张若兵;苏善诚;周新磊;王黎明 申请(专利权)人: 清华大学深圳研究生院
主分类号: H01B19/04 分类号: H01B19/04
代理公司: 深圳市汇力通专利商标代理有限公司 44257 代理人: 王锁林;茅秀彬
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 改善 染污 硫化 硅橡胶 制品 表面 水性 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种改善染污的硫化硅橡胶制品表面憎水性的方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1. 提供被污秽物染污的硫化硅橡胶制品;

S2. 将大气压低温等离子体射流喷射于所述制品表面的污秽物进行表面处理,使所述污秽物的表面憎水性提高。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述大气压低温等离子体射流产生步骤包括:在大气压条件下,在射流装置的高压电极和接地电极上施加工作电压,使进入射流管的流动气体经放电产生等离子体,并从射流管的管口喷出形成所述等离子体射流。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述流动气体的流速为5-100m/s。

4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述工作电压由高压直流电源、高压交流电源、高频电源、射频电源或者高压脉冲电源提供。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,当采用所述高压交流电源时,所述工作电压为3-100kV的交流电压,频率为1-500kHz。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述大气压低温等离子体射流对所述制品表面的污秽物进行表面处理的时间为10-300s。

7.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述硫化硅橡胶制品是采用高温硫化硅橡胶或室温硫化硅橡胶制备的绝缘子构件,或者是涂覆有温硫化硅橡胶的绝缘子构件。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述染污的硫化硅橡胶制品表面粘附的污秽物为高岭土或硅藻土,所述大气压低温等离子体射流对所述制品表面的高岭土或硅藻土进行表面处理的时间为100-240s。

9.一种改善染污的硫化硅橡胶制品表面憎水性的系统,其特征在于包括:

高压电源,流动气体产生器和射流装置;所述射流装置包含射流管、高压电极和接地电极,所述高压电源通过所述高压电极和接地电极施加工作电压形成激励电场,使进入射流管的流动气体经放电产生等离子体,并从射流管的管口喷出形成大气压低温等离子体射流;

还包括一支撑台,用于安装被污秽物染污的硫化硅橡胶制品,并带动该制品旋转或/和平移,使该制品表面附着的污秽物与大气压低温等离子体射流接触进行表面处理。

10.根据权利要求9所述的系统,其特征在于,所述高压电源为高压直流电源、高压交流电源、高频电源、射频电源或者高压脉冲电源。

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