[发明专利]一种电注入GaN基谐振腔的制作方法

权利要求书

1.一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1）在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，采用ICP刻蚀方法对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜DBR，再与临时基底键合在一起，然后采用激光剥离技术去除蓝宝石基底；

2）对激光剥离后的GaN表面进行研磨抛光，在抛光后的GaN表面上生长底部的介质膜DBR，再与一个永久基底键合在一起，并去除临时基底，完成电注入高性能GaN基谐振腔的制作。

2.如权利要求1所述一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于在步骤1）中，所述GaN基外延片采用分子束外延、金属有机物化学气相外延、氢化物气相外延方法或者磁控溅射方法制备。

3.如权利要求1所述一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于在步骤1）中，所述p型电流扩展层ITO的厚度大于200nm。

4.如权利要求1所述一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于在步骤1）中，所述刻蚀是使用感应耦合等离子体刻蚀技术对ITO进行刻蚀，刻蚀的速率小于10nm/min。

5.如权利要求1所述一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于在步骤1）中，所述刻蚀后的p型电流扩展层ITO的厚度为30～100nm。

6.如权利要求1所述一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于在步骤1）中，所述抛光处理后的p型电流扩展层ITO的表面均方根粗糙度在10μm×10μm范围内小于1nm。

7.如权利要求1所述一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于在步骤1）中，所述电流限制层采用氧化硅绝缘层、氮化硅绝缘层、氧化铝绝缘层、氧化钽绝缘层中的一种。

8.如权利要求1所述一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于在步骤1）中，所述电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜分布布拉格反射镜采用剥离、腐蚀、刻蚀方法实现。

9.如权利要求1所述一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于在步骤2）中，所述抛光后的GaN的表面均方根粗糙度在10μm×10μm范围内小于1nm。

10.如权利要求1所述一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，其特征在于在步骤2）中，所述底部的介质膜DBR反射率大于顶部DBR反射率。