[发明专利]温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路

说明书

相关申请的交叉参考

本申请基于2012年12月28日提交的日本专利申请No.2012-288727并要求享有其优先权权益；其全部内容通过参考并入本文中。

技术领域

本文中描述的实施例一般地涉及温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路。

背景技术

对于与10MHz或更高频率的时钟信号同步地输出数字信号的半导体集成电路，通常布置输出接口电路以实现可靠的高速操作。例如，对于与26MHz时钟信号同步的数字信号，要求数字信号的上升沿时间（此后称为tr）和下降沿时间（此后称为tf）为约2至6纳秒（ns）。为tr和tf设定低的限制以防止产生噪声。

因此，在输出接口电路的设计中，调节结构部分的电路常数以获得期望的tr、tf。然而，tr和tf由于电源电压的变化以及温度的变化而变化，使得这样的调节难以实现。

可以将不受电源电压的变化以及温度的变化的影响的带隙基准电路（此后称为BGR电路）的输出电势作为基准电势，并且调节tr和tf。然而，BGR电路不具有良好的响应性，使得对于具有低电源电压的集成电路或者要求在接通电源后立即传导高速数据输出的集成电路而言，BGR电路的响应速度无法赶上输出数据的定时。

发明内容

实施例提供了能够调节具有良好的响应性的信号的上升沿时间和下降沿时间的温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路。

根据一个实施例，温度检测电路包括：第一整流元件（例如，二极管），具有处于第一基准电压的阴极以及连接至第一节点的阳极；第一阻抗元件和第二整流元件，串联连接在第一节点与第二基准电压之间；第三整流元件，具有处于第一基准电压的阴极以及连接至第二节点的阳极；第二阻抗元件和第四整流元件，串联连接在第二节点与第二基准电压之间；以及差分放大器，配置为输出对应于第一节点与第二节点之间的电势差的差分信号对。差分信号对的信号的幅值响应于温度的改变而在相反方向上变化。

附图说明

图1是示出了根据实施例的包括温度检测电路、温度补偿电路和缓冲电路的半导体集成电路的示意结构的框图。

图2是示出了可变输出电阻器的内部结构的示例的电路图。

图3是示出了温度检测电路的第一示例的电路图。

图4是示出了从图3所示的温度检测电路中输出的差分信号对（cont、cont/）的温度依赖性的曲线图。

图5是示出了当从温度检测电路中输出如图4所示的差分信号对（cont、cont/）时，从半导体集成电路的输出端子中输出的信号的上升沿时间tr和下降沿时间tf的温度依赖性的曲线图。

图6是示出了温度检测电路的第二示例的电路图。

图7是示出了温度检测部分的第三示例的电路图。

图8是示出了温度检测部分的第四示例的电路图。

具体实施方式

将参考附图描述实施例。

图1是示出了根据实施例的包括温度检测电路、温度补偿电路和缓冲电路的半导体集成电路1的示意结构的框图。

如图1所示，半导体集成电路1具有内部电路2和输出缓冲器3。输出缓冲器3对内部电路2的输出信号进行缓冲，并且通过输出端子OUT输出所述信号。不存在对内部电路2的具体电路结构的限制。例如，内部电路2可以由包括执行各种类型的逻辑操作的逻辑门、触发器等的组合电路形成。当内部电路2输出多个输出信号时，可以为每个输出信号布置输出缓冲器3。

输出缓冲器3包括缓冲部分4和温度补偿电路5。温度补偿电路5包括可变输出电阻器6和温度检测电路7。

缓冲部分4对内部电路2的输出信号进行缓冲，并且将输出信号提供给可变输出电阻器6的一端。可变输出电阻器6位于缓冲部分4的输出节点与输出端子OUT之间。可以对应于温度检测电路7的输出信号调节可变输出电阻器6的电阻。可变输出电阻器6的电阻由温度检测电路7控制，使得输出信号的上升沿时间tr和下降沿时间tf在不受温度影响的规定的时间范围内。

图2是示出了可变输出电阻器6的示例性内部结构的电路图。如图2所示，可变输出电阻器6包括在缓冲部分4的输出节点与输出端子OUT之间的电阻器Rout1。可变输出电阻器6包括与电阻器Rout1并联连接的传输门8。传输门8具有与电阻器Rout1并联连接的NMOS晶体管N1和PMOS晶体管P1。

将来自温度检测电路7的差分信号对的第一信号（信号cont）提供给NMOS晶体管N1的栅极；将差分信号对的第二信号（信号cont/）提供给PMOS晶体管P1的栅极。