[发明专利]一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法

权利要求书

1.一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法，其特征在于：加工步骤为：

A)提供一带接地孔的陶瓷基片、一块掩膜版、一块保护膜、一块软胶垫及一台曝光机；

B)首先在陶瓷基片的底面贴上一层保护膜；

C)接着在陶瓷基片的正面涂覆正性光刻胶；

D)将保护膜撕掉后对正性光刻胶进行前烘；

E)用曝光机及掩膜版对陶瓷基片正面的正性光刻胶进行第一次曝光，曝光剂量满足导线区域所需即可；

F)接着翻转陶瓷基片并使陶瓷基片的正面紧贴在软胶垫上，底面朝上；

G)然后用曝光机对陶瓷基片的底面进行第二次曝光，曝光剂量以把接地孔内的光刻胶曝透为准；

H)最后将陶瓷基片从软胶垫上取下进行显影，完成光刻。

2.如权利要求1所述的一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法，其特征在于：若光刻后采用图形电镀制作薄膜电路，则所述带接地孔的陶瓷基片需先用磁控溅射方法溅射上一层金属膜。

3.如权利要求2所述的一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法，其特征在于：所述陶瓷基片的材料为氧化铝、氮化铝、氧化铍、铁氧体、铁电体或石英。

4.如权利要求1或2或3所述的一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法，其特征在于：所述陶瓷基片的厚度在0.127mm～0.8mm之间。

5.如权利要求1所述的一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法，其特征在于：所述接地孔的直径是陶瓷基片厚度的0.6倍以上。

6.如权利要求1所述的一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法，其特征在于：在步骤C中，所述正性光刻胶涂覆的厚度在4um～8um之间。