[发明专利]一种失效点定位方法无效
| 申请号： | 201310277748.1 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103367191A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 唐涌耀;黄维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768;G03F1/44 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 失效 定位 方法 | ||
1.一种失效点定位方法，其特征在于，包括：
步骤S01：在硅衬底上选取测试结构区域；
步骤S02：在所述测试结构区域中形成互连层结构；
步骤S03：选取所述互连层结构作为测试结构，采用光诱导电阻变化技术对所述测试结构进行失效点定位；
其中，所述互连层结构的形成方法，包括：
步骤S11：设计光刻版图案，其中，所述测试结构区域中的互连层结构图案上、下方不设置所述伪金属结构的图案；
步骤S12：在硅衬底上形成介质层；
步骤S13：利用所述光刻版为模版，经光刻和刻蚀，在所述介质层中形成所述互连层结构，所述互连层结构上、下方不具有所述伪金属结构。
2.根据权利要求1所述的失效点定位方法，其特征在于，所述测试结构包括有至少一层互连层结构。
3.根据权利要求1所述的失效点定位方法，其特征在于，所述测试结构区域外设置有伪金属结构。
4.根据权利要求1所述的失效点定位方法，其特征在于，所述光刻版图案中，所述测试结构区域图案的外侧设置有所述伪金属结构的图案。
5.根据权利要求1所述的失效点定位方法，其特征在于，所述介质层包含氧化膜或氮氧化膜。
6.根据权利要求1所述的失效点定位方法，其特征在于，将所述硅衬底以100微米*100微米区域划分，位于所述区域内的所述测试结构的部分与所述区域的面积比例不大于60%。
7.根据权利要求1所述的失效点定位方法，其特征在于，所述互连层结构之间具有通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
