[发明专利]用于充电管理芯片外部高压NMOS管的驱动电路

权利要求书

1.一种用于充电管理芯片外部高压NMOS管的驱动电路，包括电荷泵单元（1），用于产生高于充电管理芯片输入电压V_IN的驱动信号V_DRV；其特征在于：还包括电压差采样单元（2）和电流控制振荡器（3）；

所述电压差采样单元（2），用于采样电荷泵单元（1）输出的驱动信号V_DRV与充电管理芯片输入电压V_IN之间的电压差，并将该电压差转换为电流信号与充电管理芯片内部产生的基准电流信号I_REF做差，得到电流控制信号I_OSC输出给电流控制震荡器（3）；

所述电流控制振荡器（3），用于产生两个相位相反非重叠的方波信号CLK1和CLK2，并输出给电荷泵单元（1），形成负反馈环路，以保证驱动信号V_DRV与充电管理芯片输入电压V_IN之间的电压差恒定。

2.根据权利要求1所述的外部高压NMOS管的驱动电路，其特征在于电压差采样单元（2），包括1个高压PMOS管M₂₀₅，1个高压NMOS管M₂₁₂，6个低压PMOS管M₂₀₆～M₂₁₁和4个低压NMOS管M₂₀₁～M₂₀₄；

所述高压NMOS管M₂₁₂和高压PMOS管M₂₀₅均为源、漏极之间耐压值大于30V的器件；

所述6个低压PMOS管M₂₀₆～M₂₁₁，共分成两组，其中4个低压PMOS管M₂₀₈～M₂₁₁用于电压采样，2个低压PMOS管M₂₀₆和M₂₀₇用于构成电流镜；该4个低压PMOS管M₂₀₈～M₂₁₁，其栅极分别与自身漏极相连，构成4个二极管，这4个二极管串联连接，且低压PMOS管M₂₀₉的源极与电荷泵单元（1）输出的驱动信号V_DRV相连，低压PMOS管M₂₁₁的漏极连接到高压PMOS管M₂₀₅的源极；该2个低压PMOS管M₂₀₆和M₂₀₇，其源极均与充电管理芯片内部产生的电源VCCA相连；其栅极相连，构成有源电流镜结构，且低压PMOS管M₂₀₆的漏极与自身栅极相连作为电流镜的输入，低压PMOS管M₂₀₇的漏极作为有源电流镜的输出连接到高压NMOS管M₂₁₂的源极；

所述高压PMOS管M₂₀₅，其栅极与充电管理芯片输入电压V_IN相连接，其漏极连接到低压NMOS管M₂₀₁的漏极；

所述4个低压NMOS管M₂₀₁～M₂₀₄，分别构成两个有源电流镜；低压NMOS管M₂₀₁与M₂₀₂的栅极相连，构成第一有源电流镜结构，且低压NMOS管M₂₀₁的漏极与自身栅极相连作为第一有源电流镜的输入，低压NMOS管M₂₀₂的漏极作为第一有源电流镜的输出连接到低压PMOS管M₂₀₆的漏极；低压NMOS管M₂₀₃与M₂₀₄的栅极相连，构成第二有源电流镜结构，且低压NMOS管M₂₀₄的漏极与栅极相连作为第二有源电流镜的输入，并与充电管理芯片内部产生的基准电流信号I_REF相连；低压NMOS管M₂₀₃的漏极作为第二有源电流镜的输出连接到高压NMOS管M₂₁₂的源极；

所述高压NMOS管M₂₁₂，其栅极与充电管理芯片内部产生的电源VCCA相连；其漏极输出电流控制信号I_OSC给电流控制振荡器（3）。