[发明专利]一种利用电池内阻对其进行加热的温控装置有效
| 申请号: | 201310276105.5 | 申请日: | 2013-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN103346364A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
| 发明(设计)人: | 刘延海;李华 | 申请(专利权)人: | 天津雅迪实业有限公司 |
| 主分类号: | H01M10/50 | 分类号: | H01M10/50 |
| 代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 郑乘澄 |
| 地址: | 30040*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 利用 电池 内阻 进行 加热 温控 装置 | ||
1.一种利用电池内阻对其进行加热的温控装置,其特征在于:包括:
温度传感器,用于采集电池本体的温度信息;
逻辑控制电路,用于接收所述温度信息,根据所述温度信息的大小进行逻辑分析判断,并做出控制指令输出;
MOS驱动电路,用于接收所述控制指令输出,根据所述控制指令输出实现驱动信号的输出;
以及功率半桥电路,用于接收所述驱动信号,并根据驱动信号实现对电池自身温度的控制。
2.根据权利要求1所述的温控装置,其特征在于:所述逻辑控制电路为单片机,所述单片机的模数转换模块与所述温度传感器电连接,所述单片机利用自身的定时器产生PWM信号,当所述温度信息不大于预设值时,单片机将PWM信号发送给MOS驱动电路,当所述温度信息大于预设值时,单片机停止将PWM信号发送给MOS驱动电路。
3.根据权利要求2所述的温控装置,其特征在于:所述MOS驱动电路为半桥驱动芯片IR2102。
4.根据权利要求3所述的温控装置,其特征在于:所述功率半桥电路包括MOSFET场效应管Q1、MOSFET场效应管Q2、二极管D1、二极管D2、以及电感L1;其中:所述MOSFET场效应管Q1和MOSFET场效应管Q2为N沟道增强型场效应管,电池的负极通过二极管D1与MOSFET场效应管Q1的源极电连接,MOSFET场效应管Q1的漏极与电池的正极电连接;电池的负极与MOSFET场效应管Q2的源极电连接,MOSFET场效应管Q2的漏极通过二极管D2与电池的正极电连接;MOSFET场效应管Q2的漏极通过电感L1与MOSFET场效应管Q1的源极电连接;MOSFET场效应管Q1的栅极与MOS驱动电路的高电平输出端子电连接,MOSFET场效应管Q2的栅极与MOS驱动电路的低电平输出端子电连接。
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