[发明专利]一种掺硼富硅氧化硅薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310275972.7 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103422058A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李东升;谢敏;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/36;C09K11/63 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺硼富硅 氧化 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺硼富硅氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将电阻率为ρ=0.01～500Ω.cm的硅片清洗后作为衬底，将衬底加热至50-500℃；
（2）在真空度为8×10-4～5×10-3Pa下，通入高纯Ar和高纯O2混合气体，利用射频溅射对硅靶和硼靶进行反应共溅射，在衬底上沉积薄膜；
（3）惰性气氛下，对步骤（2）得到的薄膜进行热处理，即得到掺硼富硅氧化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的掺硼富硅氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中高纯Ar和高纯O2混合气体中高纯O2的质量百分含量为0.1%～1%。
3.根据权利要求1所述的掺硼富硅氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中硅靶和硼靶的纯度均大于或等于99%。
4.根据权利要求1所述的掺硼富硅氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中共溅射时，硅靶的溅射功率为70～190W，硼靶的溅射功率为5～100W，溅射腔室的压强为1～5Pa。
5.根据权利要求1所述的掺硼富硅氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中热处理的条件为：在600～1200°C下热处理0.5～3小时。
6.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法得到的掺硼富硅氧化硅薄膜。
7.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法得到的掺硼富硅氧化硅薄膜在发光领域的应用。
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