[发明专利]FinFET器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310275191.8 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104282561B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;马小龙;徐唯佳;徐秋霞;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种FinFET器件的制作方法，包括：
在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片结构；
在每个鳍片结构沿第二方向的侧面形成具有径向向外呈连续弧线表面的多个突起；
在鳍片结构上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构；
在栅极堆叠结构两侧形成源漏区，源漏区之间的鳍片结构构成沟道区。
2.如权利要求1的方法，其中，通过干法刻蚀和/或湿法腐蚀处理鳍片结构侧面以形成多个突起。
3.如权利要求2的方法，其中，控制刻蚀和/或腐蚀的工艺参数使得多个突起的形状包括C形、D形、圆形、椭圆形、扇形及其组合。
4.如权利要求2的方法，其中，干法刻蚀包括具有横向刻蚀深度的各向同性的等离子体干法刻蚀或反应离子刻蚀，或者各向同性干法刻蚀与各向异性干法刻蚀的组合方法。
5.如权利要求2的方法，其中，湿法腐蚀包括利用不同晶向上选择腐蚀的湿法腐蚀方法。
6.如权利要求1的方法，其中，形成突起之后进一步包括：对鳍片侧壁进行表面处理、圆化工艺。
7.一种FinFET器件，包括：
多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；
多个栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片结构；
多个源漏区，位于每个栅极堆叠沿第二方向两侧；
多个沟道区，由位于多个源漏区之间的鳍片结构构成；
其中，每个鳍片结构沿第二方向的侧壁具有多个突起，突起沿径向向外具有连续弧线表面。
8.如权利要求7所述的FinFET器件，其中，多个突起的形状包括C形、D形、圆形、椭圆形、扇形及其组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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