[发明专利]级联堆叠纳米线MOS晶体管制作方法

权利要求书

1.一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；

在每个鳍片中形成由多个纳米线级联构成的纳米线堆叠，相邻纳米线之间具有相互接触的切面，连接处沿第二方向的尺寸小于纳米线自身最大尺寸的5％；

在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构；

在栅极堆叠结构两侧形成源漏区，源漏区之间的纳米线构成沟道区。

2.如权利要求1的方法，其中，在每个鳍片中形成由多个纳米线级联构成的纳米线堆叠的步骤进一步包括：

步骤a，侧向刻蚀鳍片，在鳍片沿第二方向的侧面形成凹槽；

步骤b，沉积保护层，填充凹槽；以及

重复步骤a和步骤b，形成多个纳米线。

3.如权利要求2的方法，相邻的纳米线在平行于衬底表面的平面内相切或者相交。

4.如权利要求2的方法，其中，凹槽和/或纳米线截面的形状包括矩形、梯形、倒梯形、圆形、椭圆形、Σ形、D形、C形及其组合。

5.如权利要求2的方法，侧向刻蚀鳍片的步骤包括具有横向刻蚀深度的各向同性的等离子体干法刻蚀，或者各向同性刻蚀与各向异性刻蚀的组合方法。

6.如权利要求2的方法，侧向刻蚀鳍片的步骤包括利用不同晶向上选择腐蚀的湿法腐蚀方法。

7.如权利要求2的方法，其中，形成多个纳米线之后进一步包括：去除保护层，露出多个纳米线；对纳米线堆叠进行表面处理、圆化工艺。

8.如权利要求1的方法，其中，栅极堆叠结构为适用于后栅工艺的假栅极堆叠结构，并且形成源漏区之后进一步包括：沉积层间介质层；刻蚀去除假栅极堆叠结构，留下栅极沟槽；在栅极沟槽中沉积栅极堆叠结构。

9.一种堆叠纳米线MOS晶体管，包括：

多个纳米线堆叠，在衬底上沿第一方向延伸，相邻纳米线之间具有相互接触的切面，连接处沿第二方向的尺寸小于纳米线自身最大尺寸的5％；

多个栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个纳米线堆叠；

多个源漏区，位于每个栅极堆叠沿第二方向两侧；

多个沟道区，由位于多个源漏区之间的纳米线堆叠构成；

其中多个纳米线堆叠为级联的多个纳米线构成的堆叠。

10.如权利要求9所述堆叠纳米线MOS晶体管，其中，相邻的纳米线在平行于衬底表面的平面内相切或者相交。

11.如权利要求9所述堆叠纳米线MOS晶体管，其中，纳米线截面的形状包括矩形、梯形、倒梯形、圆形、椭圆形、Σ形、D形、C形及其组合。