[发明专利]集成半导体装置和具有集成半导体装置的桥接电路

权利要求书

1.一种桥接电路，包括：

第一集成半导体装置，包括高侧开关；

第二集成半导体装置，包括与所述高侧开关电连接的低侧开关；

第一电平转换器，与所述高侧开关电连接，并且被集成在所述第一集成半导体装置和所述第二集成半导体装置中的一个中；以及

第二电平转换器，与所述低侧开关电连接，并且被集成在所述第一集成半导体装置和所述第二集成半导体装置中的一个中。

2.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述第一电平转换器包括pnp晶体管和p沟道MOSFET中的一个。

3.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述第二电平转换器包括npn晶体管和n沟道MOSFET中的一个。

4.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述高侧开关是包括与所述第一电平转换器电连接的栅电极的功率MOSFET。

5.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述低侧开关是包括与所述第二电平转换器电连接的栅电极的MOSFET。

6.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述第一电平转换器和所述第二电平转换器均被集成在所述第一集成半导体装置和所述第二集成半导体装置中的一个中。

7.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述高侧开关和所述低侧开关电连接，所述桥接电路还包括第一驱动器电路和第二驱动器电路中的至少一个，所述第一驱动器电路与所述高侧开关的控制端子电连接，并且所述第二驱动器电路与所述低侧开关的控制端子电连接。

8.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述第一集成半导体装置包括第一半导体主体，所述第一半导体主体包括定义垂直方向的第一表面、相对表面以及在所述第一表面和所述相对表面之间延伸的第一导电通孔，并且其中，所述第一集成半导体装置还包括设置在所述相对表面上的共同金属化，所述共同金属化至少形成所述高侧开关的一个负载端子并且与所述第一导电通孔低电阻地接触。

9.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述第二集成半导体装置包括第二半导体主体，所述第二半导体主体包括定义垂直方向的第一表面、相对表面与在所述第一表面和所述相对表面之间延伸的第一导电通孔，并且其中，所述第二集成半导体装置还包括设置在所述相对表面上的共同金属化，所述共同金属化形成所述低侧开关和所述第二电平转换器的负载端子并且与所述第一导电通孔低电阻地接触。

10.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述第一集成半导体装置和所述第二集成半导体装置中的至少一个包括半导体主体，所述半导体主体包括定义垂直方向的第一表面、相对表面、设置在所述第一表面上的控制端子、以及导电通孔，所述导电通孔与所述控制端子低电阻地接触并且在所述第一表面和所述相对表面之间延伸。

11.根据权利要求1所述的桥接电路，其中，所述桥接电路是半桥电路。

12.一种集成半导体装置，包括：

半导体主体，包括具有定义垂直方向的法线方向的第一表面、相对表面、包括垂直功率场效应晶体管结构的第一区域、包括三端子步降电平转换器的第二区域和包括三端子步进电平转换器的第三区域，并且

其中所述垂直功率场效应晶体管结构的端子与所述三端子步降电平转换器和所述三端子步进电平转换器中的一个电连接。

13.根据权利要求12所述的集成半导体装置，其中，所述垂直功率场效应晶体管结构的所述端子由设置在所述相对表面上的共同金属化至少形成在所述第一区域中以及所述第二区域和所述第三区域中的一个中。

14.根据权利要求13所述的集成半导体装置，还包括贯穿接触区域，所述贯穿接触区域包括在垂直方向上延伸贯穿所述半导体主体并且与所述共同金属化电连接的第一导电通孔。

15.根据权利要求14所述的集成半导体装置，其中，所述垂直功率场效应晶体管结构包括靠近所述相对表面设置的栅电极，所述集成半导体装置在所述贯穿接触区域中还包括第二导电通孔和栅极金属化，所述第二导电通孔在所述垂直方向上延伸贯穿所述半导体主体并且电连接到所述栅电极，所述栅极金属化设置在所述第一表面上并且与所述第二导电通孔电连接。