[发明专利]一种多晶电池工艺水平及片源的评价方法

权利要求书

1.一种提取量化参数用于表征多晶电池的硅片质量的方法，包括：

获取多晶电池的电致发光EL图像或光致发光PL图像；

处理所述EL或PL图像，以获得少子寿命图像；

基于所述少子寿命图像计算所述多晶电池的少子寿命参数LT；以及

使用所述少子寿命参数LT作为硅片质量的量化参数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过以下方式处理所述EL图像或PL图像以得到少子寿命图像：

对所述EL图像或PL图像进行最大值滤波；

将滤波后的图像与原始图像相减；以及

对相减后的图像进行可选的线性变换，并用掩模去除栅线部分。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述最大值滤波的形式为：

β_i,j=M_i,j-max(R_i,j)，

其中M_i,j表示当前待考察的像素点(i,j)的亮度，max(R_i,j)表示当前待考察像素邻域中的最大值，Β_i,j表示二者的差值。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述少子寿命图像上各像素的亮度对应于硅片上该像素位置的少子寿命。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述少子寿命图像上各像素的亮度对应于硅片上该像素位置的永久缺陷信息。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述少子寿命图像计算平均少子寿命，以得到所述少子寿命参数LT。

7.一种太阳能电池的在线多晶硅片片源质量监控方法，包括：

根据权利要求1-6中任一项所述的方法，在线获得少子寿命参数LT；以及

使用所述少子寿命参数LT作为硅片质量的量化参数，比较片源间的质量差异。

8.一种评估多晶硅片片源质量对多晶电池开路电压的影响的方法，包括：

选择批量的标准多晶硅片，在标准工艺下制作得到批量的标准多晶电池；

对所述批量的标准多晶电池中每一个，使用权利要求1－6中任一项的方法以获得相应的少子寿命参数LT作为硅片质量的量化参数；

对所述批量的标准多晶电池中每一个，测量其相应的开路电压V_oc；以及

基于所述批量的标准多晶电池的少子寿命参数LT和开路电压V_oc，拟合出一次解析式：

V_oc＝k·LT+b

其中b为常数，系数k表征硅片片源质量对V_oc的影响。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在多个硅棒切片后等间选取，以选择所述批量的标准多晶硅片，所述批量的多晶硅片具有两个或更多个质量等级。

10.一种评估太阳能电池的制作工艺对多晶电池开路电压的影响的方法，包括：

根据权利要求8或9所述的方法，获得标准片工艺下V_oc与LT的关系式V_oc＝k·LT+b；

测试以待评估工艺制作的批量多晶电池中每一个的开路电压V_oc1；

根据权利要求1-6中任一项所述的方法，测试所述批量多晶电池中每一个的少子寿命参数LT1；

计算LT1的平均值，将该平均值代入所述关系式V_oc＝k·LT+b，得到标准片工艺下的平均开路电压V_oc0；以及

以V_oc1与V_oc0之间的差值α表征待评估工艺与标准片工艺之间开路电压V_oc的差。

11.一种太阳能电池的在线工艺监控方法，包括：

根据权利要求10所述的方法在线获得差值α；以及

基于所述差值α判定待评估工艺相比于标准片工艺的稳定性。