[发明专利]一种阵列基板、液晶显示屏及显示装置有效
申请号: | 201310272546.8 | 申请日: | 2013-07-01 |
公开(公告)号: | CN103365013A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 武延兵 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/13 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶显示屏 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、液晶显示屏及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,透明显示器崭露头角,所谓“透明”就是显示器本身具有一定的穿透性,透明显示器作为信息的媒介,可以播放一些产品信息及相关画面,大幅提升了产品的关注度,备受市场青睐。
目前,透明显示器一般是由液晶显示屏制成的,液晶显示屏的主要结构如图1所示,包括:液晶层1,上取向层2,下取向层3,彩膜基板4,阵列基板5,上偏光片6,下偏光片7;其中,阵列基板5上设置有用来传输信号的栅极信号线和数据信号线,栅极信号线和数据信号线可以统称为金属信号线8,金属信号线8一般都是由具有反光性的金属材料制成,例如钼Mo,铝Al等。这样,使得从阵列基板一侧观看透明显示器时,由于金属信号线的反光性,而造成不能正常观看,不能实现双面显示。
因此,如何改善透明显示器从阵列基板一侧的观看效果,实现双面显示,是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、液晶显示屏及显示装置,用以改善透明显示器从阵列基板一侧的观看效果,实现双面显示。
本发明实施例提供了一种液晶显示屏,包括:阵列基板、与所述阵列基板相对设置的对向基板,以及位于所述阵列基板和所述对向基板之间的液晶层,所述阵列基板的有效显示区域具有多条金属信号线,还包括:与所述金属信号线一一对应的第一挡光部;
在每一对所述第一挡光部与金属信号线中,所述第一挡光部位于所述金属信号线背离所述液晶层的一侧,所述第一挡光部在阵列基板的正投影覆盖所述金属信号线在阵列基板的正投影。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述液晶显示屏。
本发明实施例还提供了一种阵列基板,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上且在有效显示区域内的多条金属信号线,还包括:与所述金属信号线一一对应的第一挡光部;
所述第一挡光部位于所述衬底基板与所述金属信号线之间,或位于所述衬底基板背离所述金属信号线的一侧;
在每一对所述第一挡光部与金属信号线中,所述第一挡光部在衬底基板的正投影覆盖所述金属信号线在衬底基板的正投影。
本发明实施例的有益效果包括:
本发明实施例提供了一种阵列基板、液晶显示屏及显示装置,在液晶显示屏中设置第一挡光部,该第一挡光部与阵列基板的有效显示区域具有的多条金属信号线一一对应,第一挡光部在阵列基板的正投影覆盖金属信号线在阵列基板的正投影,且第一挡光部位于金属信号线背离液晶层的一侧,由于设置的第一挡光部可以遮挡外部光线从阵列基板一侧照射到金属信号线上,避免了金属信号线反射光线,从而改善了透明显示器从阵列基板一侧的观看效果,可以实现双面显示。
附图说明
图1为现有液晶显示屏的结构示意图;
图2a至图2e为本发明实施例提供的液晶显示屏的结构示意图;
图3a至图3b为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层厚度和区域大小不反映阵列基板和液晶显示屏的真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的液晶显示屏,如图2a至图2e所示,包括:阵列基板01、与阵列基板01相对设置的对向基板02,以及位于阵列基板01和对向基板02之间的液晶层03,阵列基板01的有效显示区域具有多条金属信号线011,还包括:与金属信号线011一一对应的第一挡光部041;
在每一对第一挡光部041与金属信号线011中,第一挡光部041位于金属信号线011背离液晶层03的一侧,第一挡光部041在阵列基板01的正投影覆盖金属信号线011在阵列基板01的正投影。
在本发明实施例提供的上述液晶显示屏中,由于设置的第一挡光部可以遮挡外部光线从阵列基板一侧照射到金属信号线上,避免了金属信号线反射光线,从而改善了透明显示器从阵列基板一侧的观看效果,可以实现双面显示。
具体地,本发明实施例提供的上述液晶显示屏可以适用于各种类型,即液晶显示屏可以为高级超维场开关(ADS,Advanced Super Dimension Switch)型,高开口率-高级超维场开关(H-ADS)型,平面内开关(IPS,In-Plane Switch)型或扭曲向列(TN,Twisted Nematic)型,在此不做限定。
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