[发明专利]阵列基板、制备方法以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的多条栅线和多条数据线，所述栅线与所述数据线交叉设置且将所述基板划分为多个像素区域，所述像素区域内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述栅线电连接，所述源极与所述数据线电连接，其特征在于，所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置，所述数据线在与所述栅线交叉的区域断开，断开的所述数据线通过与所述数据线不同层的数-数连接线电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区域内还设置有像素电极，所述数-数连接线、所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置，所述数-数连接线设置于对应着所述数据线与所述栅线的断开区域、且与断开的所述数据线连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅绝缘层和有源层，所述栅绝缘层设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间；所述有源层与所述栅极正对设置，且位于所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧；所述源极与所述漏极紧邻所述有源层设置于对应着所述有源层的两端、且与所述栅极在正投影方向上部分重叠。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层，

所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置于所述基板上；

所述栅绝缘层设置于所述栅极、所述栅线与所述数据线的上方，且完全覆盖所述栅极、所述栅线与所述数据线，所述栅绝缘层在对应着所述数据线的区域开设有第一连接线过孔和第一源-数连接线过孔；

所述有源层设置于所述栅绝缘层对应着所述栅极的上方，且完全覆盖所述栅极对应着的区域；

所述刻蚀阻挡层设置于所述有源层的上方，所述刻蚀阻挡层对应着所述有源层的一端开设有源极过孔，所述刻蚀阻挡层对应着所述有源层的另一端开设有漏极过孔，所述刻蚀阻挡层对应着所述数据线的区域开设有第二连接线过孔和第二源-数连接线过孔；

所述数-数连接线、所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置于所述刻蚀阻挡层的上方，所述源极嵌入所述源极过孔且与所述有源层接触，所述源极与所述数据线通过所述第一源-数连接线过孔和所述第二源-数连接线过孔电连接，所述数-数连接线通过所述第一连接线过孔和所述第二连接线过孔使得断开的多条所述数据线电连接；所述漏极嵌入所述漏极过孔且与所述有源层接触，所述漏极与所述像素电极电连接。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，

所述有源层设置于所述基板上；

所述栅绝缘层设置于所述有源层的上方，且所述有源层与所述栅线平行的相对的两端未被所述栅绝缘层覆盖；

所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置于所述栅绝缘层的上方，且所述栅极在正投影方向上的面积小于所述有源层的面积；

所述钝化层设置于所述栅极、所述栅线与所述数据线的上方，且完全覆盖所述栅极、所述栅线与所述数据线，所述钝化层对应着所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的一端开设有源极过孔，所述钝化层对应着所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的另一端开设有漏极过孔，所述钝化层对应着所述数据线的区域开设有连接线过孔和源-数连接线过孔；

所述数-数连接线、所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置于所述钝化层的上方，所述源极嵌入所述源极过孔且与所述有源层接触，所述源极与所述数据线通过源-数连接线过孔电连接，所述数-数连接线通过连接线过孔使得断开的多条所述数据线电连接；所述漏极嵌入所述漏极过孔且与所述有源层接触，所述漏极与所述像素电极电连接。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极、所述栅线和所述数据线采用相同的材料、且在同一构图工艺中形成。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极、所述栅线和所述数据线均采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛、铬和铜中的至少一种材料形成；所述栅极、所述栅线和所述数据线为单层或多层复合叠层结构，所述栅极、所述栅线和所述数据线的厚度范围为100-3000nm。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述数-数连接线、所述源极、所述漏极和所述像素电极采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的至少一种材料形成；所述有源层采用金属氧化物半导体材料形成。