[发明专利]电磁铁保护电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种电磁铁保护电路。

背景技术

通常线圈绕制的电磁铁，在使用时如果不加合适的保护电路，当控制驱动信号的软件发生故障使驱动信号始终输出高电平时，就会造成电磁铁有持续电流通过，导致电磁铁过热毁坏自身，甚至造成人身危险。

如图1所示，图中电路为传统的电磁铁的驱动电路。图中电磁铁的正极与二极管D的负极连接再与电源VCC电连接，电磁铁的负极与二极管D的正极连接再与三极管Q1的集电极连接，三极管Q1的发射极接地，且三极管Q1的基极接MCU的驱动信号PulseInput。当三极管Q1的基极输入高电平时，即MCU（微控制器）的驱动信号PulseInput为高电平时，三极管Q1导通，使电磁铁的负极即“-”极对地，此时电磁铁工作。但是在实际应用中，当MCU的驱动信号Pulse Input出现故障，持续输出高电平时，那么三极管Q1始终处于导通状态，电磁铁一直处于工作状态；同时电磁铁的线圈回路由于持续通过大电流，而线圈的阻抗又很小，很容易造成电磁铁过热损坏，甚至造成人身伤害。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电磁铁保护电路，旨在解决电磁铁的驱动电路因驱动信号故障，导致电磁铁持续通过大电流，而过热损坏的问题。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种电磁铁保护电路包括驱动电路和控制电路，所述控制电路包括主控制电路和从控制电路，

所述主控制电路包括晶体管Q3，所述晶体管包括第一端、第二端及用于控制所述第一端和所述第二端导通或截止的控制端，所述晶体管Q3的第一端分别与电源VCC和电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与二极管D1的正极电连接，所述二极管D1的负极分别与所述晶体管Q3的控制端和电容C1的一端电连接，所述电容C1的另一端接地，所述晶体管Q3的第二端经电阻R2接地；

所述主控制电路经所述晶体管Q3的第二端与所述驱动电路电连接；

所述从控制电路包括第一控制端和第二控制端，所述第二控制端分别与所述主控制电路和所述驱动电路电连接，所述第一控制端与MCU的驱动信号电连接。

优选方式为，所述从控制电路包括晶体管Q2，所述第一控制端为晶体管Q2的控制端，所述第二控制端为晶体管Q2的第一端，所述晶体管Q2的第二端接地。

优选方式为，所述晶体管Q1为三极管，其第一端为集电极，其第二端为发射极，其控制端为基极。

优选方式为，所述晶体管Q1为场效应管，其第一端为漏极，其第二端为源极，其控制端为栅极。

优选方式为，所述驱动电路包括电磁铁，所述电磁铁的正极分别与二极管D的负极和电源VCC电连接；所述电磁铁的负极分别与所述二极管D的正极和晶体管Q1的第一端电连接；所述晶体管Q1的控制端与所述主控制电路的所述晶体管Q3的第二端电连接；所述晶体管Q1的第二端与所述从控制电路的所述第二控制端电连接。

优选方式为，所述晶体管Q2为三极管，其第一端为集电极，其第二端为发射极，其控制端为基极。

优选方式为，所述晶体管Q2为场效应管，其第一端为漏极，其第二端为源极，其控制端为栅极。

优选方式为，所述晶体管Q3为三极管，其第一端为集电极，其第二端为发射极，其控制端为基极。

优选方式为，所述晶体管Q3为场效应管，其第一端为漏极，其第二端为源极，其控制端为栅极。

采用上述技术方案后，本发明的有益效果是：由于本发明所述电磁铁保护电路包括驱动电路和控制电路，该控制电路包括主控制电路和从控制电路，其中从控制电路的第一控制端接入MCU的驱动信号pulse input，第二控制端分别与驱动电路和主控制电路电连接。当MCU的驱动信号pulse input为低电平时，从控制电路给驱动电路输入禁止启动信号，电磁铁不工作，同时主控制电路的电源VCC经二极管D1给电容C1充电；当MCU的驱动信号pulse input为高电平时，从控制电路给驱动电路输入允许启动信号，二极管D1被截止，电容C1放电，晶体管Q3暂时导通，启动驱动电路，电磁铁工作。当电容C1放电至晶体管Q3导通电压以下，则晶体管Q3截止，即使MCU的驱动信号持续为高电平，驱动电路也不会被启动，从而实现了在MCU的驱动信号持续为高电平时驱动电路不会被启动，电磁铁不工作，避免了因驱动信号持续为高电平而导致电磁铁过热损坏的危险。