[发明专利]减压处理室和排气装置无效

专利信息
申请号: 201310271854.9 申请日: 2013-06-21
公开(公告)号: CN103510068A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 菲利普·瓦格纳;爱德华多·伊利尼奇;达米安·埃伦施佩格 申请(专利权)人: TEL太阳能公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 田军锋;魏金霞
地址: 瑞士特*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 减压 处理 排气装置
【权利要求书】:

1.一种真空室包括:

壳体,所述壳体包括限定有处理容积体的至少一个壁,所述处理容积体以低于大气压的压力容纳一种或更多种处理气体,所述壳体包括一个或更多个排气口,所述一个或更多个排气口形成从所述处理容积体延伸且穿过所述至少一个壁的开口;

一个或更多个闭合的加强元件,所述一个或更多个闭合的加强元件联接至所述壳体的所述至少一个壁或形成于所述壳体的所述至少一个壁中,并且构造成对所述壳体的至少一部分进行强化以抵抗由所述低于大气压的压力所引起的应力,其中,所述一个或更多个闭合的加强元件包括:

至少一个通道,所述至少一个通道对从所述处理容积体经由所述一个或更多个排气口排出的处理气体进行传输;

泵送口,所述泵送口从所述至少一个通道抽出所述处理气体,并且所述泵送口能够联接至泵送系统。

2.根据权利要求1所述的真空室,其中,所述至少一个通道的内表面的至少一部分由所述壳体的所述至少一个壁的外表面形成。

3.根据权利要求2所述的真空室,其中,多个排气口从所述处理容积体延伸至所述至少一个通道,并且其中,在所述处理气体通过所述至少一个通道之后,一个泵送口抽出从所述处理容积体经由所述多个排气口排出的处理气体。

4.根据权利要求1所述的真空室,其中,所述至少一个通道的至少一部分沿着所述壳体的所述至少一个壁竖向延伸,并且其中,所述泵送口与所述一个或更多个排气口的位置竖向间隔开,并且其中,所述泵送口连接至真空泵。

5.根据权利要求1所述的真空室,其中,所述真空室是等离子处理室。

6.根据权利要求1所述的真空室,其中,所述至少一个壁包括:

第一壁,所述第一壁具有延伸穿过所述第一壁的第一排气口;以及

第二壁,所述第二壁具有延伸穿过所述第二壁的第二排气口;

其中,所述至少一个通道包括:

第一通道,所述第一通道沿着所述第一壁的至少一部分延伸,并且其中,所述第一排气口通向所述第一通道,使得处理气体从所述处理容积体经由所述第一排气口排出至所述第一通道中;以及

第二通道,所述第二通道沿着所述第二壁的至少一部分延伸,并且其中,所述第二排气口通向所述第二通道,使得处理气体从所述处理容积体经由所述第二排气口排出至所述第二通道中。

7.根据权利要求6所述的真空室,其中,所述至少一个通道还包括:

至少一个连接通道,其中,所述至少一个连接通道与所述第一通道和所述第二通道两者都连通,并且其中,所述泵送口从所述至少一个连接通道延伸,使得通过所述第一通道和所述第二通道两者的处理气体经由所述泵送口排出系统外。

8.根据权利要求7所述的真空室,其中,所述第一通道和所述第二通道中的每个通道均包括四个壁,所述四个壁包括:

第一通道侧壁和第二通道侧壁,所述第一通道侧壁和所述第二通道侧壁从所述壳体的外表面突出;

第三通道壁,所述第三通道壁与所述壳体的所述外表面间隔开,所述第三通道壁从所述第一通道侧壁延伸至所述第二通道侧壁;以及

第四通道壁,所述第四通道壁由所述壳体的所述外表面的在所述第一通道侧壁与第二通道侧壁之间延伸的部分提供。

9.根据权利要求1所述的真空室,其中,所述至少一个壁包括所述壳体的侧壁,并且其中,所述至少一个通道包括:

第一通道侧壁和第二通道侧壁,所述第一通道侧壁和所述第二通道侧壁从所述壳体的所述侧壁突出;

第三通道壁,所述第三通道壁与所述壳体的所述侧壁间隔开,所述第三通道壁从所述第一通道侧壁延伸至所述第二通道侧壁;以及

第四通道壁,所述第四通道壁由所述壳体的所述侧壁的外表面的在所述第一通道侧壁与第二通道侧壁之间延伸的部分提供。

10.根据权利要求9所述的真空室,其中,所述第三通道壁包括盖,所述盖能够被打开或被移除以提供进入所述通道的内部的通路。

11.根据权利要求1所述的真空室,其中,来自所述处理容积体的所述一个或更多个排气口包括四个排气口,并且其中,所述至少一个通道包括四个通道,并且其中,所述四个排气口各自通向所述四个通道中的相应的一个通道。

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