[发明专利]一种阵列基板、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201310271807.4 | 申请日: | 2013-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN103336397A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
| 发明(设计)人: | 王洁琼 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
基于液晶的显示装置是目前被广泛使用的一种平面显示器,与其他显示方式相比,其具有低功耗、重量轻、无辐射等优点。
基于液晶的显示装置一般包括阵列基板、彩膜基板及液晶层。如图1所示,阵列基板上的显示区域包含多个子显示区域,每个子显示区域一般为两条栅线101(扫描线)与两条数据线102交叉包围形成。
如图1所示,子显示区域内部设置有薄膜晶体管103和像素电极104。通过控制施加在彩膜基板上的公共电极和/或像素电极104上的电压,来控制施加于彩膜基板和阵列基板之间的电场强度,进而控制液晶分子的偏转方向。
工作时,在栅极驱动信号的控制下,TFT(薄膜场效应晶体管),导通,对应行的数据电压由源极驱动送至对应的像素电极104上,改变彩膜基板和阵列基板之间的电场强度,进而影响液晶的偏转。
然而,在阵列基板的结构中,薄膜晶体管103的栅极1031与漏极1032的部分区域相对,这样在栅极1031与漏极1032之间的电压出现变化时,就会产生寄生电容Cgd,其等效电路如图1所示。
在栅极从打开电压Vgh变化到关断电压Vgl的时刻,由于栅极上电压的突然改变,会使得寄生电容Cgd内部的电荷移动,而一旦电荷移动就会导致Cgd两端的电压发生变化,而这种电压变化会由漏极传导到像素电极104,导致彩膜基板和阵列基板之间的电场强度发生变化,而彩膜基板和阵列基板之间的电场强度发生变化又会导致液晶分子的偏转角度发生变动,从而影响透过率,导致图像的灰度显示不准确。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种阵列基板、显示面板和显示装置,降低栅极和漏极之间的寄生电容对显示的影响。
为了实现上述目的,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:
将显示区域划分为多个子显示区域的多根数据线和多根栅线;
设置于每一个子显示区域中的像素电极;和
设置于每一个子显示区域中,源极与数据线电连接,漏极与像素电极电连接,栅极与栅线电连接的TFT;
所述TFT的栅极与漏极之间形成有寄生电容,所述阵列基板还包括:
一开关电路,用于在TFT的栅极驱动信号从高电平向低电平转变时,导通所述寄生电容的两端。
上述的阵列基板,其中,所述开关电路包括:
设置于至少一个子显示区域中的第一开关单元,与对应子显示区域中的TFT上形成的寄生电容并联;
所述寄生电容和第一开关单元形成的并联电路的一端与TFT的漏极电连接,另一端与栅极电连接;
对应子显示区域中的TFT的栅极驱动信号从高电平向低电平转变时,所述第一开关单元导通,否则断开。
上述的阵列基板,其中,所述开关电路包括:
设置于至少一个子显示区域中的第一开关单元,与对应子显示区域中的TFT上形成的寄生电容并联;
与第一开关单元对应设置的第二开关单元;
所述寄生电容和第一开关单元形成的并联电路的一端与TFT的漏极电连接,另一端通过所述第二开关单元与所述TFT的栅极电连接;
对应子显示区域中的TFT的栅极驱动信号从高电平向低电平转变时,所述第一开关单元导通,所述第二开关单元断开;
且在对应子显示区域中的TFT的栅极驱动信号处于高电平时,所述第二开关单元导通,所述第一开关单元断开。
上述的阵列基板,其中,所述第一开关单元为栅极处于高电平控制时断开的第一TFT,第二开关单元为栅极处于高电平控制时导通的第二TFT,所述第一TFT和第二TFT的栅极与所述栅线电连接。
上述的阵列基板,其中,每一行栅线对应设置有一个外部控制器,所述外部控制器输出的信号与对应栅线的栅极驱动信号同步,所述第一开关单元为栅极处于高电平控制时断开的第一TFT,第二开关单元为栅极处于高电平控制时导通的第二TFT,所述第一TFT和第二TFT的栅极与外部控制器连接,所述外部控制器输出的信号与栅极驱动信号同步。
为了更好地实现上述目的,本发明实施例还提供了一种显示面板,包括上述任意的阵列基板。
为了更好地实现上述目的,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明实施例至少具有如下的有益效果:
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