[发明专利]一种二极管芯片制备工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种二极管芯片制备工艺。

背景技术

在现有技术中，二极管芯片制备工艺都是先将两电极金属片采用电镀方法进行滚镀镀银或镀镍，然后再将两电极金属片与加工完成PN结后的硅片进行组装和烧结，其制备工艺流程通常为：电极金属片准备→电镀镀银或镀镍→组装→烧结→涂胶固化→测试→包装。但上述制备工艺生产的二极管芯片长期来一直存在有以下问题：1. 两电极金属片表面电镀镀银材料成本高，且外表面易发黑。2. 由于两电极金属片表面完成电镀镀银或镀镍后，后面工序还要经历高温烧结、涂胶及高温固化，这样在长时间高温影响下，两电极金属片外表面镀层易发生严重氧化，使得制备的二极管芯片在应用时，其芯片两端的电极金属片外表面镀层焊接困难，并且易导致虚焊，影响二极管芯片产品应用可靠性。

发明内容

本发明主要为解决上述现有技术存在的问题，新提供一种二极管芯片制备工艺，使二极管芯片电极外表面金属镀层焊接性能好，可靠性高。

本发明所述的一种二极管芯片制备工艺，其特征包括以下步骤： 

（1）准备未电镀的电极金属片；

（2）将上述电极金属片，以及焊片和PN结加工完成后的硅片按常规依次进行组装、高温烧结和涂胶固化；

（3）将涂胶固化后的二极管芯片进行化学镀锡或镀镍，使二极管芯片的两电极金属片外表面形成镀锡层或镀镍层；

（4）测试和包装。

本发明中所述的化学镀锡，其特征包括以下步骤：

（1）将烧结和涂胶后的二极管芯片放入热水中浸泡，温度80℃以上，时间1分钟；

（2）将上述浸泡过的二极管芯片捞出，并迅速放入化学镀镀液中完全浸没，其镀液成份为：氯化亚铅5-8g/L，氯化亚锡14-16g/L，盐酸70-100g/L，次亚磷酸钠50-80g/L，硫脲120-150g/L，添加剂5-20g/L，其余为水；镀液温度为70―80℃，化学镀时间为5-10分钟；

（3）从镀液中捞出二极管芯片，并迅速将二极管芯片放入洁净热水中清洗干净，热水温度75℃以上；

（4）将清洗干净的二极管芯片用风吹干。

本发明中所述的化学镀镍，其特征包括以下步骤：

（1）将烧结和涂胶后的二极管芯片放入热水中浸泡，温度80℃以上，时间1分钟；

（2）将上述浸泡过的二极管芯片捞出，并迅速放入化学镀镀液中完全浸没，其镀液成份为：硫酸镍30-40g/L，次亚磷酸钠20-30g/L，添加剂2g/L，其余为水，镀液温度为85―95℃，化学镀时间为30-60分钟；

（3）从镀液中捞出二极管芯片，并迅速将二极管芯片放入洁净热水中清洗干净，热水温度75℃以上；

（4）将清洗干净的二极管芯片用风吹干。

本发明的有益技术效果是：二极管芯片两端的电极金属片外表面金属镀层焊接性能好，可靠性高。

附图说明

图1为本发明工艺流程示意图。

图2为二极管芯片结构示意图。

具体实施方式

附图标注说明： 硅片1、下焊片2、下电极金属片3、金属镀层（4、5）、上电极金属片5、上电极金属片6、焊片7，硅胶8。

一种二极管芯片制备工艺，其步骤包括： 

（1）准备未电镀的电极金属片；

（2）将上述电极金属片，以及焊片和PN结加工完成后的硅片按常规依次进行组装、高温烧结和涂胶固化；

（3）将涂胶固化后的二极管芯片进行化学镀锡或镀镍，使二极管芯片两电极金属片外表面镀锡或镀镍；

（4）对二极管芯片进行测试和包装。

所述化学镀锡，其步骤包括：

（1）将烧结和涂胶后的二极管芯片放入热水中浸泡，温度80℃以上，时间1分钟；

（2）将上述浸泡过的二极管芯片捞出，并迅速放入化学镀镀液中完全浸没，其镀液成份为：氯化亚铅5-8g/L，氯化亚锡14-16g/L，盐酸70-100g/L，次亚磷酸钠50-80g/L，硫脲120-150g/L，添加剂5-20g/L，其余为水；镀液温度为70―80℃，化学镀时间为5-10分钟；

（3）从镀液中捞出二极管芯片，并迅速将二极管芯片放入洁净热水中清洗干净，热水温度75℃以上；

（4）将清洗干净的二极管芯片用热风吹干。

所述化学镀镍，包括以下步骤：

（1）将烧结和涂胶后的二极管芯片放入热水中浸泡，温度80℃以上，时间1分钟；