[发明专利]一种油田专用耐高温高压RFID标签无效

专利信息
申请号: 201310271474.5 申请日: 2013-07-01
公开(公告)号: CN103336988A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 张金龙;孙正义;许海庭;项峰臣;张超;文彬 申请(专利权)人: 东营市胜软石油技术开发有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 代理人: 宋永丽
地址: 257091 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 油田 专用 耐高温 高压 rfid 标签
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电子装置,尤其是一种用于无线射频识别技术的标签。

背景技术

射频识别即RFID(Radio Frequency IDentification)技术,又称电子标签、无线射频识别,是一种通信技术,可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据,而无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触。射频识别系统最重要的优点是非接触识别,它能穿透雪、雾、冰、涂料、尘垢和条形码无法使用的恶劣环境阅读标签,并且阅读速度极快,大多数情况下不到100毫秒。有源式射频识别系统的速写能力也是重要的优点。可用于流程跟踪和维修跟踪等交互式业务。

目前RFID的缺点:目前的RFID标签虽然能够在满足一般恶劣环境下的识别,但是无法满足油田行业的高温、高压、震动、化学腐蚀、金属、油污等及其恶劣的识别,为满足石油行业的特殊需求,需要开发研制一种新型的耐高温高压、抗腐蚀抗金属的特种标签。

发明内容

本发明的目的在于提供一种油田专用耐高温高压RFID标签。

本发明的技术方案有:一种油田专用耐高温高压RFID标签,用于金属材料表面或嵌入金属应用,包括基材、芯片、馈线、天线接收/发射面,基材面为电子标签的正面,另一个面为天线接地面,正面上的天线接收/发射面通过一短路槽与背面上的天线接地面相连接构成一微带天线;芯片正极通过馈线与天线接收/发射面相连接,芯片的接地端通过一通孔与背面上的天线接地面相连接;外壳二次封装材料将标签进行封装。

所述的基材采用稀土,氧化铝,氧化锆等按照配比制成,根据不同的使用环境要求,介电常数可调整。

所述的芯片包括射频前端、模拟前端、数字基带和存储器单元,射频前端模块用于对射频信号进行整流和反射调制,模拟前端模块用于产生芯片内所需的基准电源和系统时钟进行上电复位,数字基带模块用于对数字信号进行编码解编码以及进行防碰撞协议的处理,存储器单元模块用于信息存储;芯片的流片生产基于0.18μm RF CMOS工艺,EPC内存为96bit-492bit,User Memory容量为512-2kbit。

所述的天线采用多层立体天线结构,将标识物的金属表面作为天线的一部分,背面上的天线接地面可以直接接触钻具的金属材料表面,设置了短路槽,使微带天线的面积缩小一倍。

所述的外壳二次封装材料为聚醚醚酮(PEEK)材料。

与现有技术相比,本发明的有益效果有:标签尺寸小,读取距离远;环境适应能力增强。标签天线的形状和大小影响标签的读写距离,一般尺寸越小距离越短,采用多层次天线设计技术,大大缩小了标签的体积,耐高温高压特殊RFID芯片积为直径22mm,厚度3mm,读取距离可以达到5米以上(8dB),其体积仅为其他相同性能产品的30%左右。嵌入金属内部读取稳定、可靠;附着液体,浸入油、水中读取稳定、可靠;耐高温、耐低寒,工作温度范围从-50℃到320℃;在各种电磁环境下,频率波动小、稳定。

具体实施方式

耐高温高压RFID特种标签用于金属材料表面或嵌入金属应用,其结构主要包括基材、芯片、馈线、天线接收/发射面等四部分组成。此基材面为电子标签的正面,另一个面为天线接地面,正面上的天线接收/发射面通过一短路槽与背面上的天线接地面相连接构成一微带天线;芯片正极通过馈线与天线接收/发射面相连接,芯片的接地端通过一通孔与背面上的天线接地面相连接。

不同频段的RFID工作原理不同,读取距离也有很大差别,LF和HF的RFID由于采用电磁耦合原理,读取距离较近,一般不超过20cm,而UHF及微波频段的RFID一般采用电磁发射原理,读取距离较远。为了满足钻具RFID特种标签直径不超过30mm,厚度不超过15mm,读取距离不少于80cm的设计要求,该特种标签采用UHF的908—928MHz频段。

该芯片的基本结构包含射频前端、模拟前端、数字基带和存储器单元等模块。其中,射频前端模块主要用于对射频信号进行整流和反射调制;模拟前端模块主要用于产生芯片内所需的基准电源和系统时钟,进行上电复位等;数字基带模块主要用于对数字信号进行编码解编码以及进行防碰撞协议的处理等;存储器单元模块用于信息存储。

为满足耐高温300℃,耐振动,抗电磁辐射等特殊要求,该MT5028超高频芯片的流片生产基于0.18μm RF CMOS工艺,EPC内存为96bit-492bit,User Memory容量为512-2kbit。

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