[发明专利]电子照相感光构件、处理盒以及电子照相设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子照相感光构件、以及具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

背景技术

作为用于处理盒和电子照相设备的电子照相感光构件，包含有机光导电性物质的电子照相感光构件是目前主要的流行趋势。电子照相感光构件通常具有支承体和在支承体上形成的感光层。然后，在支承体和感光层之间设置底涂层以便抑制由支承体侧到感光层(电荷产生层)侧的电荷注入并且抑制图像缺陷例如起雾的产生。

近年来已使用具有更高感光度的电荷产生物质。但是，出现了由于随着电荷产生物质的感光度变得越大，电荷产生量变大，因此电荷易于滞留在感光层中，并且易于产生重影这样的问题。特别地，在印出图像时容易发生其中在之前的旋转时间内仅用光照射的部分浓度变高的所谓正重影的现象。

公开了抑制(减少)这种重影现象的技术，其中通过在底涂层中引入电子输送物质而使底涂层成为具有电子输送能力的层(下文中也称作电子输送层)。国际专利申请的国际公开2009-505156公开了一种具有芳香族四羰基二酰亚胺骨架和交联部位的缩合聚合物(电子输送物质)，和包含具有交联剂的聚合物。日本专利申请特开2003-330209公开了将具有非水解性可聚合官能团的电子输送物质的聚合物引入底涂层中。日本专利申请特开2005-189764公开了使底涂层的电子迁移率为10^-7cm²/V·sec以上以便改进电子输送能力的技术。

对于电子照相图像品质的要求目前日益提高，且对于正重影的可允许的范围明显变得严格。作为本发明人研究的结果揭示，国际专利申请的国际公开2009-505156和日本专利申请特开2003-330209和2005-189764中公开的抑制（减少）正重影的技术在一些情况中提供了并不充分的正重影的减少，其中仍然存在改进的空间。同时，如果使底涂层为电子输送层，并且在电子输送层具有不充分的均一性的情况中，由于重复使用后带电能力易于降低，因此需要抑制这种带电能力的降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种抑制正重影并且抑制在重复使用之后带电能力降低的电子照相感光构件，以及具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

本发明涉及一种电子照相感光构件，其包括层压体和在层压体上形成的空穴输送层，其中层压体包括支承体、在支承体上形成的具有d1[μm]厚度的电子输送层、以及在电子输送层上形成的具有d2[μm]厚度的电荷产生层，并且其中层压体满足以下表达式（2）和（4）。

|Vl2-Vl1|≤0.35...(2)

0.10≤|(Vd2-Vl3)/Vd2|≤0.20...(4)

在表达式（2）和（4）中，

Vl1表示当使所述电荷产生层的表面带电以致该表面具有由以下表达式(1)表示的Vd1[V]电位，用光照射具有Vd1电位的该电荷产生层的表面，随后在该照射后间隔0.18秒时的所述电荷产生层的表面电位：

Vd1=-50×(d1+d2)    (1)，

其中调整所述光的强度以致当照射所述电荷产生层、随后在该照射后间隔0.20秒时的所述表面电位相对于Vd1[V]衰减20％；

Vl2表示当使所述电荷产生层的表面带电以致该表面的电位为Vd1[V]，用光照射具有Vd1电位的该电荷产生层的表面，随后在该照射后间隔0.22秒时的所述电荷产生层的表面电位；和

Vl3表示当使所述电荷产生层的表面带电以致该表面具有由以下表达式(3)表示的Vd2[V]电位，用光照射具有Vd2电位的该电荷产生层的表面，随后在该照射后间隔0.20秒时的所述电荷产生层的表面电位：

Vd2=-30×(d1+d2)    (3)。

本发明还涉及处理盒，该处理盒包括以上电子照相感光构件和一体化地支承于处理盒中的选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种单元，其中该处理盒可拆卸地安装在电子照相设备的主体上。

本发明还涉及包括以上电子照相感光构件、充电单元、光照射单元、显影单元和转印单元的电子照相设备。

本发明可以提供一种抑制正重影并且抑制在重复使用之后带电能力降低的电子照相感光构件，以及具有这种电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

参考附图，从以下示例性实施方案的描述中，本发明进一步的特征将变得明显。

附图说明

图1是说明进行根据本发明的判定方法的测定设备的轮廓构造的一个实例的图。