[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置有效
申请号: | 201310269972.6 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103336396A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 袁剑峰;冯玉春;林承武 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括基板,以及设置在基板上的像素电极、公共电极、薄膜晶体管和信号线,所述信号线包括栅线、数据线和公共电极线,其特征在于,还包括:
设置于所述像素电极和所述公共电极之间的绝缘层,所述绝缘层包括:与显示区域对应的第一部分,与非显示区域对应的第二部分,所述非显示区域包括:与薄膜晶体管及信号线走线对应的区域;
所述第一部分的介电常数大于第一临界值,所述第二部分的介电常数小于第二临界值,所述第一临界值大于所述第二临界值。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述绝缘层的材质具有如下特点:经过紫外光照射后,介电常数变大。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述绝缘层的第一部分在制造过程中经历过紫外光照射,所述第二部分在制造过程中没有经历过紫外光照射。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层为有机绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:钝化层;
与所述绝缘层相比,所述钝化层设置在更靠近所述阵列基板对盒面的一侧。
6.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在形成有第一电极的基板上形成绝缘层,所述绝缘层由经过紫外光照射后介电常数会变大的材质制成;
在形成有所述第一电极和所述绝缘层的基板上形成第二电极;
从阵列基板的非对盒面的一侧对所述阵列基板进行紫外光照。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,
在所述第一电极为像素电极时,所述第二电极为公共电极;
在所述第一电极为公共电极时,所述第二电极为像素电极。
9.根据权利要求7或8所述的制造方法,其特征在于,所述绝缘层为有机绝缘膜。
10.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,在形成有所述第一电极和所述绝缘层的基板上形成第二电极之前,或者,在形成有所述第一电极和所述绝缘层的基板上形成第二电极之后,还包括:
在形成有所述绝缘层的基板上形成钝化层。
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