[发明专利]LED 的制造方法

说明书

本申请要求2012年6月28日提交的日本专利申请No.2012-145450的优先权，该日本专利申请的内容通过引用合并于此。 

技术领域

本发明涉及一种LED的制造方法。 

背景技术

通常，LED包括基板和形成在基板上的发光元件。为了提高亮度，在一些情况中，LED包括形成在基板的发光元件相反侧的面上的反射层（例如，日本特开2001-085746号公报）。例如，通过诸如MOCVD法和离子辅助电子束沉积法等气相沉积法形成反射层。在使用MOCVD方法的情况中，在LED晶圆以反射层形成侧向上（也就是，基板的外侧向上）的方式放置在工作台上之后，基板的外侧面经受气相沉积处理。此外，在使用离子辅助电子束沉积法的情况中，LED晶圆在反射层形成侧的相反侧（也就是，发光元件侧）覆盖有盖，并且露出反射层形成面（也就是，基板的外侧面）。露出的面经受气相沉积处理。然而，在这种传统的制造方法中，可能发生如下问题。金属进入到LED晶圆的反射层形成面的相反侧的面（也就是，发光元件侧的面）和工作台或盖之间的空隙，因而在发光元件的外侧还形成金属层。因而，LED的亮度受到负面地影响。当待形成反射层的LED晶圆翘曲时以及当LED晶圆在反射层形成期间翘曲时，这个问题变得更显著。 

发明内容

已经做出本发明以解决上述传统的问题，并且本发明的目的在于提供一种LED的制造方法，该方法能够防止在发光元件的外侧形成金属层。 

根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括： 

在LED晶圆的基板的外侧形成反射层，所述LED晶圆包括所述基板和在所述基板的一面上的发光元件；以及 

在形成反射层之前，将耐热性压敏粘合片贴附到所述发光元件的外侧。 

在本发明的实施方式中，所述耐热性压敏粘合片包括硬质基体构件和压敏粘合层。 

根据本发明，上述方法包括：在LED晶圆的基板的外侧形成反射层，LED晶圆包括基板和在基板的一面上的发光元件。在形成反射层之前，耐热性压敏粘合片贴附到发光元件的外侧。采用这种方式，可以防止在发光元件的外侧形成金属层。此外，耐热性压敏粘合片还具有保护LED晶圆的功能，因此根据本发明，在形成反射层前后，可以防止LED晶圆受到损伤以高产量地制造LED。 

附图说明

在附图中： 

图1是在根据本发明的实施方式的LED的制造方法中使用的LED晶圆的示意性截面图； 

图2的A至图2的C是示出根据本发明的实施方式的LED的制造方法中的反射层形成步骤的示意图； 

图3A至图3D是示出根据本发明的实施方式的LED的制造方法中的各步骤的示意图；以及 

图4A至图4G是示出根据本发明的另一实施方式的LED的制造方法中的各步骤的示意图。 

具体实施方式

A.LED晶圆

在本发明的制造方法中，在预处理中已经适当地处理的LED晶圆经受反射层形成步骤。图1是待经受反射层形成步骤的LED晶圆的示意性截面图。 LED晶圆10包括基板11和发光元件12。基板11由任意适当的材料制成。用于构成基板11的材料的示例包括：蓝宝石、SiC、GaAs、GaN和GaP。注意，基板11优选地被研磨（背面研磨）以薄化成任意适当的厚度。基板11的厚度优选地是10μm至500μm，更优选地是50μm至300μm，最优选地是80μm至150μm。发光元件12包括缓冲层1、n型半导体层2、发光层3、p型半导体层4、透明电极5和电极6、7。发光层3包括：例如，氮化镓系化合物（例如，GaN、AlGaN和InGaN）、磷化镓系化合物（例如，GaP和GaAsP）、砷化镓系化合物（例如，GaAs、AlGaAs和AlGaInP）和氧化锌（ZnO）系化合物。注意，尽管未示出，但是发光元件12可以包括任意其它适当的构件。 

B.反射层形成步骤

图2的A至图2的C是示出根据本发明的实施方式的LED的制造方法中的反射层形成步骤的示意图。图2的A至图2的C示出了作为代表性示例的实施方式，在该实施方式中，通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD法）在LED晶圆的基板的外侧形成反射层。在本发明的LED的制造方法中，贴附有耐热性压敏粘合片20的LED晶圆10经受反射层形成步骤（图2的A）。此时，耐热性压敏粘合片20贴附到LED晶圆10的发光元件12侧。