[发明专利]一种菊花筛选脱毒快繁方法有效
申请号: | 201310268708.0 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103340152A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 邱禄锦 | 申请(专利权)人: | 新疆凤凰远山农业发展有限公司 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 福州市鼓楼区博深专利代理事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林志峥 |
地址: | 831100 新疆维吾尔自治区昌吉回族自*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 菊花 筛选 脱毒 方法 | ||
1.一种菊花筛选脱毒快繁方法,其特征在于:它包括以下步骤:
S1:采集菊花无菌健壮母本苗切成带芽茎段,消毒;
S2:将带芽茎段接种于培养基A上生长,所述的培养基A包括B5、2.0mg/L的BA、0.5mg/L的NAA、0.005mg/L的TDZ、0.1mg/L的GA3;
S3:一周后,待新的腋芽萌发至2~3cm时,转接于新的培养基A上生长,生长两周后获得生根无菌健壮母本苗;
S4:将步骤S3中得到的无菌健壮母本苗切成2~3cm的带芽茎段,接种于培养基A上同时进行继代和生根培养,一周后,带芽茎段长成完整植株。
2.根据权利要求1所述的菊花筛选脱毒快繁方法,其特征在于,所述步骤S1中消毒操作为:酒精灭菌20-40s,升汞灭菌4-6min,无菌水冲洗4-6遍。
3.根据权利要求1所述的菊花筛选脱毒快繁方法,其特征在于,所述步骤S2具体为:将带芽茎段接种于培养基上生长,所述培养基为培养基A,在光照200LX,16h,温度24度的培养条件下培养。
4.根据权利要求1所述的菊花筛选脱毒快繁方法,其特征在于,所述步骤S3具体为:一周后,待新的腋芽萌发至2~3cm时,转接于新的培养基上生长,所述培养基为培养基A,在光照2000LX,16h,温度24度的培养条件下培养,生长两周后获得生根无菌健壮母本苗。
5.根据权利要求1所述的菊花筛选脱毒快繁方法,其特征在于,所述步骤S4具体为:将步骤S3中得到的无菌健壮母本苗切成2~3cm的带芽茎段,接种于培养基上同时进行继代和生根培养,所述的培养基仍为培养基A,在光照2000LX,16h,温度24度的培养条件下培养,一周后,带芽茎段长成完整植株。
6.根据权利要求5所述的菊花筛选脱毒快繁方法,其特征在于,所述步骤S4中“将步骤S3中得到的无菌健壮母本苗切成2~3cm的带芽茎段”的具体操作方法为:将无菌健壮母本苗通过切除芽苗顶芽的切割方式,切割成2~3cm的带芽茎段。
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