[发明专利]一种低电压差分信号驱动电路有效
申请号: | 201310266051.4 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN104253609B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 王飞;傅璟军;冯卫 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 信号 驱动 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种驱动电路,尤其涉及低电压差分信号驱动电路。
背景技术
低电压差分信号(即LVDS)是一种常用于数据传输系统中的技术,其电压峰值通常介于250mV到450mV之间,传输速率从几十Mbps到几Gbps,其采用极低的电压摆幅高速差动传输数据,可以实现点对点或一点对多点的连接,具有低耗电、低误码率、低串扰、低辐射、低噪声、易于集成等优点,故低电压差分信号被广泛的应用于各种系统中,例如图像数据传输方面经常会用到LVDS。
现有技术中常用的低电压差分信号驱动电路通常采用电流模式的差分信号驱动电路,其通过切换开关控制电流从不同方向流入负载电阻,从而在负载电阻两端生成低压差分信号电平。但是,这种低压差分信号驱动电路产生的低压差分信号的准确度不高。参见图1所示,图1所示的为现有技术中常用的电流模式的低电压差分信号驱动电路。其包括四个增强型NMOS管(MN1、MN2、MN3、MN4)均作为可控制的开关,Ia和Ib为电流源;RL为IC应用时外部接收端的负载电阻。当NMOS管栅电压(DP/DN)为高电平(该电压一般与电源电压VCC相同)时,NMOS管导通。所以,当数据DP为高电平时,DN为低电平,NMOS管中MN4、MN2导通,MN3、MN1断开,电流从电源VCC通过MN4流至RL的VA端点,流经电阻后,通过MN2流到地;电流恒定为Ia=Ib=I0,则由欧姆定律得RL 两端的电压差 VA-VB=I0*RL;当数据DP为低电平时,DN为高电平,NMOS管中MN4、MN2断开,MN3、MN1导通,电流从电源VCC通过MN3至RL的VB端点,流经电阻后,通过MN1到地;电流恒定为Ia=Ib=I0,则由欧姆定律得RL 两端的电压差 VA-VB= -I0*RL。
VA-VB的电压差值为正的I0*RL时,接收端判断接收到的数据为高电平,当VA-VB的电压差值为负的I0*RL时,接收端判断接收到的数据为低电平,从而完成数据的传输和接收识别。该电路主要利用数据电平来控制不同组合的NMOS管的导通来实现电流从两个不同的方向流出和流进。由于一般在数据传输中,会对生成低电压差分信号的峰峰值即VA-VB有大小规定,同时也对低电压差分信号的共模电平有要求,图1所示的电流模式的LVDS电路可以通过设定对应的电流I0(Ia=Ib=I0)来满足峰峰值要求,其共模电平VCM电压计算过程如下:VP为高电平时,VB=I0*(R2+Rb) ,注:MN2的导通电阻为R2,电流源Ib的电阻为Rb,则VCM= I0*(R2+Rb)+I0*RL/2 ①;VP为低电平时,VB=VCC-I0*(R3+Ra)注:MN3的导通电阻为R4,电流源Ia的电阻为Ra,则VCM= VCC-I0*(R3+Ra)- I0*RL/2 ②;式①+式②得 2VCM= VCC+I0(R2+Rb)-I0(R3+Ra),由于I0、VCC为定值,同时我们可以通过参数设置使得R2+Rb=R3+Ra,这样LVDS的共模电平VCM=VCC/2,其也为定值;但由于在制造时R2、R3及Ra、Rb受工艺影响容易出现偏差使得R2+Rb与R3+Ra不是绝对的相等,其存在一定的误差,故其共模电平不易准确设定;同时DP的电平不停的变化时(从高变为低或从低变为高),由于馈通效应,其会使得输出电压VA和VB容易出现抖动,这在高速较远距离和较大干扰下传输时,容易出现接收端识别错误。所以,现有技术中的低压差分信号驱动电路产生的低压差分信号有一定的误差,其准确度不高。
可以理解的是,本部分的陈述仅提供与本发明相关的背景信息,可能构成或不构成所谓的现有技术。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对现有技术中低压差分信号驱动电路产生的低压差分信号准确度不高的缺陷,提供一种可以减少误差、提高输出的低压差分信号的准确度的低压差分信号驱动电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种低电压差分信号驱动电路,其包括:用于生成高低电压的电压生成电路及将所述电压生成电路产生的高低电压转换为极性电压的电平切换电路;
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