[发明专利]制备多晶硅层的方法

权利要求书

1.一种制备多晶硅层的方法，其特征在于，包括：

于一衬底上循环利用多晶硅沉积转化工艺制备若干多晶硅薄膜，以形成覆盖该衬底上表面的多晶硅层；

其中，该多晶硅层由所述若干多晶硅薄膜依次层叠形成。

2.如权利要求1所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，所述衬底包括一基板、氮化硅层和氧化硅层；

其中，所述氮化硅层覆盖于所述基板的上表面，所述氧化硅层覆盖于所述氮化硅层的上表面，所述多晶硅层覆盖于所述氧化硅层的上表面。

3.如权利要求2所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板或者塑料基板。

4.如权利要求1所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，所述多晶硅沉积转化工艺包括：

于一基底上沉积非晶硅薄膜；

将该非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。

5.如权利要求4所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，采用化学气相沉积，物理气相沉积，等离子体增强化学气相沉积法，低压化学气相沉积或者原子层沉积技术工艺制备所述非晶硅薄膜。

6.如权利要求4所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，

循环利用所述多晶硅沉积转化工艺于所述衬底上制备若干多晶硅薄膜具体包括：

第一次进行多晶硅沉积转化工艺后，形成第一多晶硅薄膜；于所述第一多晶硅薄膜上，循环执行所述多晶硅沉积转化工艺，直至

第N次进行多晶硅沉积转化工艺后，形成第N多晶硅薄膜；

其中，所述第一多晶硅薄膜覆盖所述衬底的上表面，所述第N多晶硅薄膜覆盖第N-1多晶硅薄膜的上表面，且N为正整数，N≥2。

7.如权利要求6所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，在第一次进行所述多晶硅沉积转化工艺时，采用所述衬底作为沉积第一非晶硅薄膜的第一基底；

在第N次进行所述多晶硅沉积转化工艺时，采用所述第N-1多晶硅薄膜作为沉积第N非晶硅薄膜的第N基底。

8.如权利要求6所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，采用准分子镭射工艺将非晶硅薄膜转化为所述多晶硅薄膜。

9.如权利要求8所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，制备第一多晶硅薄膜时的镭射强度为200mJ/cm²～300mJ/cm²。

10.如权利要求8所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，制备第N多晶硅薄膜时的镭射强度为250mJ/cm²～450mJ/cm²。

11.如权利要求8所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，制备第N多晶硅薄膜时的镭射强度大于制备第N-1多晶硅薄膜时的镭射强度。

12.如权利要求8所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，制备第N多晶硅薄膜时的镭射强度与制备第N-1多晶硅薄膜时的镭射强度相差5mJ/cm²。

13.如权利要求6所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，所述第一多晶硅薄膜的厚度为10nm～25nm。

14.如权利要求6所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，所述第N多晶硅薄膜的厚度大于所述第N-1多晶硅薄膜的厚度。

15.如权利要求6所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，所述第N多晶硅薄膜的厚度为15nm～35nm。

16.如权利要求6所述的制备多晶硅层的方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为25nm～60nm。