[发明专利]一种键合方法及采用该键合方法形成的键合结构有效
| 申请号： | 201310263865.2 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103354210A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡坚;刘子玉;王谦;王水弟;胡杨;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇;肖冰滨 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 方法 采用 形成 结构 | ||
1.一种键合方法，该键合方法包括：
生成能够相互嵌套的键合结构，其中所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热大于它们之间的键合能；以及
利用所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热来键合所述能够相互嵌套的键合结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，生成能够相互嵌套的键合结构包括：
在衬底上生成第一凸点下金属层图案；
在所述第一凸点下金属层图案上形成第二凸点下金属层图案；以及
在所述第二凸点下金属层图案上形成凸点，从而形成所述能够相互嵌套的键合结构，其中，在将所述能够相互嵌套的键合结构进行键合时，所述凸点能够与所述第一凸点下金属层图案进行键合。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述凸点与所述第一凸点下金属层图案通过加低压及热退火处理完成最终键合。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，所述第一凸点下金属层图案由位于所述衬底上的粘附层和位于所述粘附层上的种子层构成。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述粘附层由能够与所述衬底粘附的金属构成。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述粘附层由TiN、TiW、Ti、Cr、Ta、Mo、Co中的至少一者构成。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述种子层由金属构成。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述种子层由铜构成。
9.根据权利要求2、3和5-8中任一权利要求所述的方法，其中，所述凸点由金属构成。
10.根据权利要求1-3和5-8中任一项权利要求所述的方法，其中，所述能够相互嵌套的键合结构中的键合剖面是斜面。
11.一种采用权利要求1-10中任一项权利要求所述的方法形成的键合结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
