[发明专利]LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法有效
| 申请号： | 201310262621.2 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104250017A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张滨 | 申请（专利权）人： | 山东沾化宝晶晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C01F7/30 | 分类号： | C01F7/30 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 256800 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 蓝宝石 单晶用 高纯 氧化铝 成型 方法 | ||
1.一种LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将高纯硫酸铝铵高温保温煅烧，出炉后在循环水下进行冷却，使烧结后的氧化铝粗粉，其中，α-Al2O3相含量为60-65%，γ-Al2O3含量为35-40%；
（2）将烧结后的氧化铝粗粉经气流粉碎设备粉碎得到氧化铝超细粉料；
（3）直接将氧化铝粉料一次冲压成型，得到高纯氧化铝圆饼状素坯。
2.根据权利要求1所述的LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法，其特征在于，高纯硫酸铝铵为硫酸铝铵的纯度为99.999%以上。
3.根据权利要求1所述的LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法，其特征在于，高纯硫酸铝的煅烧温度1095-1105度。
4.根据权利要求1所述的LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法，其特征在于，高温保温煅烧时间为115-125分钟。
5.根据权利要求1所述的LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法，其特征在于，循环水的温度为8-15度。
6.根据权利要求1所述的LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法，其特征在于，冷却时间是为50-70分钟。
7.根据权利要求1所述的LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法，其特征在于，研磨后的氧化铝α-Al2O3相粉料细度D50为0.15-0.2um，γ-Al2O3相粉料细度为50-60纳米。
8.根据权利要求1所述的LED蓝宝石单晶用高纯氧化铝成型的方法，其特征在于，冲压成型采用2000吨压机压制，压制压力在1800吨-1850吨。
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