[发明专利]集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法

权利要求书

1.一种集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括如下步骤：

S1：提供一单晶硅基片，所述单晶硅基片具有相对设置的上表面和下表面，所述上表面具有用以生成集成电路的第一区域及用于生成电容式微硅麦克风的第二区域；

S2：在所述第一区域上生成与电容式微硅麦克风电气连接的集成电路，同时，在所述第二区域上形成与制作所述集成电路时一同制作的金属导电层及介质绝缘层；

S3：在所述第二区域上去除部分介质绝缘层以形成声孔图形，然后按照所述声孔图形于单晶硅基片的上表面向下凹陷形成若干声孔，进而于声孔的底部将若干声孔连接以形成上腔体；

S4：在所述第二区域上淀积牺牲层，所述牺牲层包括位于声孔的上方且覆盖在介质绝缘层上的平坦层；

S5：在所述牺牲层和介质绝缘层上采用低温淀积工艺或者等离子体增强气相淀积工艺生成与金属导电层电性连接的多晶硅锗薄膜，进而生成声音敏感膜；

S6：于所述硅基片的下表面上内凹形成有与上腔体连通的下腔体；

S7：腐蚀所述牺牲层及去除所述平坦层正下方的介质绝缘层以形成振动空间，以使声音敏感膜变为可动结构。

2.根据权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：在所述S3步骤中，所述声孔通过在单晶硅基片的上表面上采用各向异性深反应离子刻蚀工艺得到。

3.根据权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：在所述S3步骤中，所述上腔体采用将反应离子通过声孔射入单晶硅基片中对其进行刻蚀所得到。

4.根据权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：在所述步骤S4中，采用低于400℃的低温淀积工艺或者采用等离子体增强气相淀积工艺形成牺牲层。

5.根据权利要求4所述的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：所述牺牲层的材料为氧化硅-多晶硅双层薄膜。

6.根据权利要求5所述的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：所述步骤S7包括：先用稀释的氢氟酸溶液腐蚀掉氧化硅；再用加热的双氧水腐蚀多晶锗；最后用稀释的氢氟酸溶液腐蚀掉介质绝缘层。

7.根据权利要求4所述的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：所述牺牲层的材料为氧化硅。

8.根据权利要求7所述的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：所述步骤S7包括采用稀释氢氟酸同时腐蚀掉介质绝缘层与牺牲层。

9.根据权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：在所述步骤S5中，采用低于400℃的低压气相淀积工艺形成多晶硅锗薄膜。

10.根据权利要求1或9所述的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，其特征在于：在所述步骤S5中，所述低压气相淀积工艺或者等离子体增强气相淀积工艺需要采用硅烷、锗烷、硼烷等作为反应物。